LSI (Large Scale Integration / 集積回路)のセミナー・研修・出版物

光電融合パッケージングと光導波路の技術展望

admin — Sat, 16 May 2026 02:08:03 +0000

光電融合パッケージングと光導波路の技術展望

オンライン開催

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開催日

2026年7月2日(木) 10時30分～ 16時10分

プログラム

第1部光電融合半導体パッケージング基板技術の最新動向

(10:30〜12:00)

　生成AIの登場によってデータセンタの巨大化と高性能化が進んでいます。計算量の増加に従ってデータ通信に要する消費電力も爆発的に増加しています。喫緊の課題である演算と消費電力の両立を実現しうる技術として、半導体素子と光素子を同一パッケージ上に集積した光電融合パッケージ技術が世界中で注目を集めています。
　本講演では、光電融合半導体パッケージ技術の最新動向と産総研の取り組みに関して講演する。

光電融合半導体パッケージの背景
1. 生成AIで拡大するデータセンタ
2. 光電融合技術への期待
3. 光電融合パッケージ技術の種類とロードマップ
4. 光電融合パッケージ技術の世界的な最新研究開発動向
我々が提案する「アクティブオプティカルパッケージ」に関して
1. 産総研光電融合研究センターの紹介
2. アクティブオプティカルパッケージの概要と特長
3. 要素技術1 : ポリマー光導波路
4. 要素技術2 : ポリマーマイクロミラー
5. 要素技術3 : 光コネクタ
6. 要素技術4 : 外部光源 (ELS) を用いた動作実証
7. アクティブオプティカルパッケージの最新成果
8. 社会実装に向けた取り組み
  - 次世代GDC協議会光電コパッケージ検討部会、IOWN-GF

第2部光電融合に向けたポリマー光導波路の材料と形成技術

(13:00〜14:30)

昨今のAI技術の急速な進展を受けて、GPU間ネットワークなどの短距離通信ネットワークに対しての高速化要求が高まっており、光通信技術の導入が検討されています。特に、光電融合という技術ワードがトレンドとなり、CPU・GPUなどの半導体チップ周りのデータ伝送への光伝送導入にむけてCo-packaged Optics技術が期待されています。光集積回路チップをLSIと同一の基板に実装する、このCo-Package技術は、電子回路基板・材料・デバイス・実装技術を大きく変えうる技術として、この数年、様々な革新がもたらされています。本講演では、昨今高い注目を集めている光電融合、Co-Packaged Optics技術のキーデバイスとして期待されるポリマー光導波路について、これまでの開発の歴史から、現状の最先端の開発動向に至るまでを紹介いたします。特に1) ポリマー光導波路構成材料に対する要求仕様、2) シングルモード、マルチモード導波路とは何か?どう違うのか?、3) ポリマー光導波路の様々な作製方法とその特徴、4) 光導波路の特性評価例、などに関する技術的な話題さらには、今後の技術動向、サプライチェーン動向について解説致します。

技術背景
ポリマー光導波路の構造からみた分類
ポリマー光導波路の作製方法
ポリマー光導波路のための材料と求められる特性
ポリマー光導波路の特性表評価方法と特性例の紹介
ポリマー光導波路の応用
1. マルチモードポリマー光導波路の応用
2. シングルモードポリマー光導波路の応用
3. 三次元光導波路の可能性と期待

第3部光電融合におけるシリコン系光導波路技術

(14:40〜16:10)

　光電融合においては、半導体チップ間での大容量光信号伝送が重要であり、シリコン系光集積回路 (シリコンフォトニクス) はその中核技術の一つである。
　本セミナーでは、各種シリコンフォトニクスデバイスの動作原理から、光電融合に向けた最新の技術動向までを解説する。

光導波路の基礎
1. 伝搬モードと偏波
2. 導波路構造の分類
シリコンフォトニクスデバイスの基礎 (パッシブ素子)
1. 光入出力素子 (エッジカプラ・グレーティングカプラ)
2. 分岐・結合素子
3. 波長フィルタ
シリコンフォトニクスデバイスの基礎 (アクティブ素子)
1. 光変調器
2. 光パススイッチ
異種材料集積シリコンフォトニクスデバイス
1. III-V光源集積
2. Ge受光器集積
3. 無機材料/EOポリマー集積光変調器
光電融合に向けた最新の技術動向

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講師

天野建氏
国立研究開発法人産業技術総合研究所光電融合研究センター

研究センター長
石榑崇明氏
慶応義塾大学理工学部物理情報工学科

教授
渥美裕樹氏
国立研究開発法人産業技術総合研究所光電融合研究センター先端フォトニクス標準評価研究チーム

主任研究員

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主催

S&T出版株式会社

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 50000円 (税別) / 55,000円 (税込)

複数名

: 25000円 (税別) / 27,500円 (税込)

案内割引・複数名同時申込割引について

S&T出版からの案内をご希望の方は、割引特典を受けられます。
また、4名様以上同時申込で全員案内登録をしていただいた場合、1名様あたり 22,000円(税込)でご受講いただけます。

Eメール案内を希望する方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,000円(税別) / 73,700円(税込)
- 4名様でお申し込みの場合 : 4名で 80,000円(税別) / 88,000円(税込)
- 5名様でお申し込みの場合 : 5名で 100,000円(税別) / 110,000円(税込)
Eメール案内を希望しない方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 100,000円(税別) / 110,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 150,000円(税別) / 165,000円(税込)
- 4名様でお申し込みの場合 : 4名で 200,000円(税別) / 220,000円(税込)
- 5名様でお申し込みの場合 : 5名で 250,000円(税別) / 275,000円(税込)

ライブ配信セミナーについて

本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
お申し込み前に、 Zoomのシステム要件とテストミーティングへの参加手順をご確認いただき、テストミーティングにて動作確認をお願いいたします。
開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
セミナー資料は、PDFファイルをダウンロードいただきます。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

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電子機器・部品の未然防止と故障解析

admin — Sun, 03 May 2026 01:32:53 +0000

電子機器・部品の未然防止と故障解析

～市場事例を基に学ぶ実践的技術～

オンライン開催

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概要

本セミナーでは、電子部品・電子機器の信頼性・故障に関する基礎知識と実際に行われている未然防止法と故障解析を、事例を用いて説明いたします。

開催日

2026年6月29日(月) 10時00分～ 17時00分

受講対象者

車載機器、信頼性・品質に係わる初級、中級技術者

修得知識

電子機器や電子部品に要求される信頼性の指針・具体的な対応方法
市場故障における適切な対応や原因究明

プログラム

　高信頼性が要求される電子機器・部品の開発では故障メカニズムから課題を見つけ、対策を取り、信頼性試験で市場故障のリスクを検証する。このように十分に故障未然防止策を講じても、市場故障は発生する。その原因に対策や試験の抜けや市場のストレスに対する考慮不足などがある。さらに市場故障の解析は再発防止にために必須な技術である。
　以上のことから、技術者に必要な知識として、(1)故障メカニズム、(2)実際に発生している市場故障の真の原因、(3)メーカが実施しているか未然防止法、(4)信頼性試験・環境試験、(5)故障解析が挙げられる。
　本セミナーでは聴講者が現場で直面する様々な課題に対応できるための知識、すなわち、考えることに繋がる知識の修得を目指している。知識には故障メカニズムのような現象と未然防止法や試験のような人が決まったことがある。前者では故障し易い構造 (弱点) が製造時やストレスにより故障に至る段階を、材料物性をもとに解説する。また、後者では作成目的、やり方や課題について述べる。また、イラストや事例をできるだけ用い、初級者でも理解し易いものにした。

故障メカニズム
1. 実際に発生する市場故障の真の要因
  - 市場で問題となる不具合 (リコール情報)
  - 市場故障がなぜ起こるか
  - 故障期による故障モード
2. 構造と製造工程から考える部品の故障メカニズム
  - 各種部品
    - MLCC
    - LIB
    - リレーなど
  - 半導体デバイスの動作原理・構造・故障メカニズム
  - 実装基板の故障メカニズム
3. ストレスにより発生・成長する不具合・欠陥
  - 市場で受けるストレスの種類
  - 材料物性から考える温度に関する故障メカニズム
  - 湿度と温度による故障メカニズム
  - 温度急変ストレスによる熱疲労
  - 機械的ストレスによる劣化破壊
故障未然防止策のポイント
1. 製品における信頼性の作りこみの流れ
2. 信頼性設計
  - 保護回路
  - シミュレーションによる最適化
  - 筐体設計
3. 信頼性の作り込み
  - 品質工学の適用
    - FMEA
    - デザインレヴュー
  - 特性評価と構造解析によるロバスト性・
4. 製品保証のための信頼性評価
  - 信頼度に限界
  - 精度を上げるための提案
信頼性試験・環境試験
- ユーザからの要求事項
- 規格の種類と課題
- 加速試験による寿命推定
- 特殊環境試験の種類・目的・対策
市場故障に対する故障解析 (電子機器から部品まで)
- 電子機器メーカが行う故障解析の目的
- 電子機器メーカが行う故障解析の流れ
- ロックイン発熱解析を用いた故障解析
- 部品メーカ (半導体メーカ) が行う故障解析
- 解析事例

質疑応答

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講師

味岡恒夫氏
故障物性ソリューション

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主催

株式会社 R&D支援センター

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 52000円 (税別) / 57,200円 (税込)

複数名

: 26000円 (税別) / 28,600円 (税込) (案内をご希望の場合に限ります)

受講者の声

セミナーの案内に初心者でもわかるように丁寧に説明しますとあったので分かりやすかった
知らない不具合モードを知れたことや、自社の解析技術レベルがどの程度なのかを把握する指標もできたことが良かった
修理対応が間違っていない事の再認識と他の要因調査へのアプローチを知る事ができた

案内割引・複数名同時申込割引について

R&D支援センターからの案内登録をご希望の方は、割引特典を受けられます。
案内および割引をご希望される方は、お申込みの際、「案内の希望 (割引適用)」の欄から案内方法をご選択ください。

「案内の希望」をご選択いただいた場合、1名様 47,000円(税別) / 51,700円(税込) で受講いただけます。
複数名で同時に申込いただいた場合、1名様につき 26,000円(税別) / 28,600円(税込) で受講いただけます。

R&D支援センターからの案内を希望する方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 47,000円(税別) / 51,700円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 52,000円(税別) / 57,200円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 78,000円(税別) / 85,800円(税込)
R&D支援センターからの案内を希望しない方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 52,000円(税別) / 57,200円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 104,000円(税別) / 114,400円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 156,000円(税別) / 171,600円(税込)

ライブ配信セミナーについて

本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
お申し込み前に、 Zoomのシステム要件とテストミーティングへの参加手順をご確認いただき、テストミーティングにて動作確認をお願いいたします。
開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
セミナー資料は、PDFファイルをダウンロードいただきます。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
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光電コパッケージ技術の概要・課題・最新動向・今後の展望まで

admin — Sun, 03 May 2026 00:16:02 +0000

生成AI時代のデータセンタを支える

光電コパッケージ技術の概要・課題・最新動向・今後の展望まで

～データセンタ革命を支える技術とその実装～

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概要

本セミナーでは、従来の半導体パッケージに光部品を実装する光電コパッケージの最新動向を紹介いたします。
また、ポリマー光回路の材料や作成法、ポリマー光回路を用いた光電コパッケージの最新状況や、NEDOプロジェクトについてなど、講師らの最新の取り組みを中心に解説いたします。

配信期間

2026年6月16日(火) 12時30分～ 2026年6月23日(火) 16時30分

お申し込みの締切日

2026年6月19日(金) 16時30分

修得知識

光電コパッケージ技術の最新動向
光電コパッケージ設計の勘所
光電コパッケージ試作の勘所
光電コパッケージ評価の勘所

プログラム

　生成AIの登場により、データセンタの巨大化、高性能化が近年さらに加速している。これを実現する技術として、従来のブラガブルトランシーバを用いたアーキテクチャより低消費電力化が可能な半導体素子と光素子を同一パッケージ上に集積した光電融合技術が世界中で注目されている。
　本講演ではデータセンタの動向からなぜ光電融合技術が必要なのかを説明した後、光電融合半導体パッケージ技術の最新研究動向と我々が提案している光電融合半導体パッケージ技術に関する最新成果を講演する。

光電融合半導体パッケージの背景
1. 生成AIで拡大するデータセンタ
2. 光電融合技術への期待
3. 光電融合パッケージ技術の種類とロードマップ
4. 光電融合パッケージ技術の世界的な最新研究開発動向
我々が提案する「アクティブオプティカルパッケージ」に関して
1. 概要
2. 特長
3. 要素技術1:ポリマー光導波路
4. 要素技術2:ポリマーマイクロミラー
5. 要素技術3:光コネクタ
6. 要素技術4:外部光源 (ELS) を用いた動作実証
7. アクティブオプティカルパッケージの最新成果
8. 社会実装に向けた取り組み:次世代GDC協議会光電コパッケージ検討部会

質疑応答

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講師

天野建氏
国立研究開発法人産業技術総合研究所光電融合研究センター

研究センター長

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主催

株式会社 R&D支援センター

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 45000円 (税別) / 49,500円 (税込)

複数名

: 22500円 (税別) / 24,750円 (税込) (案内をご希望の場合に限ります)

案内割引・複数名同時申込割引について

「案内の希望」をご選択いただいた場合、1名様 42,000円(税別) / 46,200円(税込) で受講いただけます。
複数名で同時に申込いただいた場合、1名様につき 22,500円(税別) / 24,750円(税込) で受講いただけます。

R&D支援センターからの案内を希望する方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 42,000円(税別) / 46,200円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 74,250円(税込)
R&D支援センターからの案内を希望しない方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 90,000円(税別) / 99,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 135,000円(税別) / 148,500円(税込)

アーカイブ配信セミナー

当日のセミナーを、後日にお手元のPCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
配信開始となりましたら、改めてメールでご案内いたします。
視聴サイトにログインしていただき、ご視聴いただきます。
視聴期間は2026年6月16日〜23日を予定しております。
ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。

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光電コパッケージ技術の概要・課題・最新動向・今後の展望まで

admin — Sun, 03 May 2026 00:15:13 +0000

生成AI時代のデータセンタを支える

光電コパッケージ技術の概要・課題・最新動向・今後の展望まで

～データセンタ革命を支える技術とその実装～

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アーカイブ配信で受講をご希望の場合、視聴期間は2026年6月16日〜23日を予定しております。
アーカイブ配信のお申し込みは2026年6月19日まで承ります。

概要

開催日

2026年6月15日(月) 12時30分～ 16時30分

修得知識

光電コパッケージ技術の最新動向
光電コパッケージ設計の勘所
光電コパッケージ試作の勘所
光電コパッケージ評価の勘所

プログラム

光電融合半導体パッケージの背景
1. 生成AIで拡大するデータセンタ
2. 光電融合技術への期待
3. 光電融合パッケージ技術の種類とロードマップ
4. 光電融合パッケージ技術の世界的な最新研究開発動向
我々が提案する「アクティブオプティカルパッケージ」に関して
1. 概要
2. 特長
3. 要素技術1:ポリマー光導波路
4. 要素技術2:ポリマーマイクロミラー
5. 要素技術3:光コネクタ
6. 要素技術4:外部光源 (ELS) を用いた動作実証
7. アクティブオプティカルパッケージの最新成果
8. 社会実装に向けた取り組み:次世代GDC協議会光電コパッケージ検討部会

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講師

天野建氏
国立研究開発法人産業技術総合研究所光電融合研究センター

研究センター長

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株式会社 R&D支援センター

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

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本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

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受講料

1名様

: 45000円 (税別) / 49,500円 (税込)

複数名

: 22500円 (税別) / 24,750円 (税込) (案内をご希望の場合に限ります)

案内割引・複数名同時申込割引について

R&D支援センターからの案内を希望する方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 42,000円(税別) / 46,200円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 74,250円(税込)
R&D支援センターからの案内を希望しない方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 90,000円(税別) / 99,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 135,000円(税別) / 148,500円(税込)

ライブ配信対応セミナー / アーカイブ配信対応セミナー

「Zoom」を使ったライブ配信またはアーカイブ配信セミナーのいずれかをご選択いただけます。
お申し込み前に、 Zoomのシステム要件とテストミーティングへの参加手順をご確認いただき、テストミーティングにて動作確認をお願いいたします。
開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。

ライブ配信セミナーをご希望の場合

Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

アーカイブ配信セミナーをご希望の場合

当日のセミナーを、後日にお手元のPCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
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視聴期間は2026年6月16日〜23日を予定しております。
ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。

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光電融合技術へ向けた異種材料集積化と光集積回路の開発

admin — Mon, 20 Apr 2026 02:59:25 +0000

光電融合技術へ向けた異種材料集積化と光集積回路の開発

～Co-Packaged Opticsへ向けた半導体レーザの集積化、光チップレット実装、光結合技術～

オンライン開催

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概要

本セミナーでは、光導波路や光ミラーなどパッケージ内部の光配線技術、異種材料の集積による光チップの構成技術、さらにはチップ間の光接続や光コネクタ、受光器といった周辺機構まで、次世代コパッケージ技術を多面的に解説いたします。

開催日

2026年5月28日(木) 10時30分～ 16時15分

修得知識

シリコンプラットフォームへの化合物半導体デバイスの集積方法
シリコン基板への化合物半導体の結晶成長
シリコン基板への化合物半導体の貼り付け技術
InP-シリコンテンプレート基板上結晶成長
シリコン基板上化合物半導体レーザの特性

光導波構造の基礎、各種材料を活用した場合の長所/短所の比較
シリコンフォトニクスデバイスの基本動作原理、研究開発の現状
モノリシック/ハイブリッドフォトニクス集積技術、ファブレス化の動向

次世代光インターコネクト (AI/HPC・データセンタ) における要求仕様と技術課題
エッジカプラおよびグレーティングカプラの特性と構造的限界
広帯域垂直光I/Oアーキテクチャの概念・原理と従来技術との違い
位置ずれ・入射角に対する許容特性
イオンビーム照射 (IIB) を用いた高精度加工技術とプロセス制御
二次元アレイ化による高密度光I/Oへの展開可能性
Co-Packaged Optics (CPO) および次世代光インターコネクトへの応用可能性

プログラム

第1部シリコン基板上への化合物半導体レーザの集積化技術

(2026年5月28日 10:30〜12:00)

　データトラフィックの増大と共にデータセンター内の光化が急速に進んでいる。特にCOPや光電融合において、シリコンプラットフォーム上へ光源である化合物半導体レーザを集積化する技術が必要不可欠である。
　本講座では、シリコンプラットフォームへ化合物半導体を集積化する技術として、直接成長、ウエハ貼付け技術など各種方法について、それぞれの方法のメリット、デメリットを説明する。またテンプレート基板を用いた結晶成長、半導体レーザの特性について説明する。

シリコンプラットフォームへの化合物半導体集積化技術
1. モノリシック集積
  - シリコン基板への直接成長、選択成長
2. ハイブリッド集積技術
  - フリップチップボンディング
  - 基板レベルでの貼り合わせ技術
    - 親水性直接貼付
    - PAB
    - SAB
  - ハイブリッド集積の問題点
3. 貼り合わせテンプレート基板への集積化技術
  - 薄膜層-シリコン基板の貼り合わせ
  - スマートカット技術
InP-Siテンプレート基板上1.5μm帯半導体レーザ
1. テンプレート基板の特性
  - 表面状態とPL強度
  - 接合強度
  - ボイド
2. テンプレート基板への結晶成長
  - 有機金属気相成長法
  - X線回折、PL特性
  - 選択成長
3. テンプレート基板上半導体レーザの特性
  - ダブルヘテロレーザ
  - 量子井戸レーザ

質疑応答

第2部薄膜転写法による異種材料光チップレット集積化技術

(2026年5月28日 13:00〜14:30)

　シリコン系光導波路素子とその集積技術 (通称:シリコンフォトニクス) は基礎的な研究段階から、産業展開に至る実用化開発段階へ移行しており、市場は急拡大を続けている。その一方、更なる高密度・高性能な光集積回路を実現に向けて、解決すべき技術課題が多数認識されており、新たなブレークスルーが求められる。
　本講演では基本的な素子動作原理から近年の技術動向、取り組むべき諸課題について取り上げ、解説を行う。

光導波路の基礎 (各導波路の特徴)
- ガラス
- 化合物半導体
- シリコン系
シリコン系光導波路デバイス
1. パッシブ光デバイス
  - カプラ
  - フィルタ
  - 入出力光結合など
2. 光変調器
3. 受光器
4. レーザー光源
フォトニクス集積技術
1. ムーアの法則と集積フォトニクスデバイスの活用
2. CMOS互換モノリシック集積技術
3. 多彩な異種材料を活用したハイブリッド集積技術
4. 光チップレット、2.5/三次元実装
5. ファブレス化、ファウンドリーサービスの現状

質疑応答

第3部次世代光インターコネクトに向けた広帯域垂直光I/Oアーキテクチャと集積化技術

(2026年5月28日 14:45〜16:15)

　近年、生成AIの急速な発展に伴い、データセンタにおける通信トラフィックは飛躍的に増大している。このような背景のもと、電気配線の限界を補完する技術として光インターコネクト (特にシリコン光集積回路 (Si-PIC) ) の重要性が一層高まっている。
　しかしながら、PICのスケーリングが進むにつれて、チップ外部との光結合、すなわち光I/Oが新たなボトルネックとして顕在化している。従来のエッジカプラやグレーティングカプラはそれぞれに利点を有するものの、高密度実装、広帯域動作、実装許容性といった観点においては構造的な限界があり、今後のさらなるスケーリングに対しては新たなアプローチが求められている。
　本講座では、このような課題認識に基づき、垂直光I/Oアーキテクチャという観点から光結合技術を位置づけ直し、その具体的な実現手段としてシリコン立体湾曲型光結合器を取り上げる。本技術は、表面型結合による二次元配置への適合性、超広帯域動作、位置および角度ずれに対する高い許容性といった特長を有し、次世代の光インターコネクトにおける有力な構成要素となり得る。

次世代光インターコネクトにおける要求と課題
シリコン光集積回路 (Si-PIC) のスケーリング限界
光I/Oにおける要求仕様の整理
エッジカプラの特徴と限界
グレーティングカプラの特徴と限界
既存光結合技術の比較
広帯域垂直光I/Oアーキテクチャの必要性
シリコン立体湾曲光結合器の基本原理
ビーム制御と光学設計
超広帯域性について (原理)
実験結果:結合効率・帯域特性
入射角・位置ずれに対する許容度
高精度加工技術と製造プロセス
二次元アレイ化と高密度光I/Oへの展開
応用展開と今後の課題
質疑応答

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講師

下村和彦氏
上智大学理工学部

教授
高磊氏
国立研究開発法人産業技術総合研究所光電融合研究センター光電子集積デバイス研究チーム

上級主任研究員
吉田知也氏
国立研究開発法人産業技術総合研究所光電融合研究センター光電子集積デバイス研究チーム

主任研究員

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主催

株式会社技術情報協会

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 55000円 (税別) / 60,500円 (税込)

複数名

: 50000円 (税別) / 55,000円 (税込)

複数名同時受講割引について

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 50,000円(税別) / 55,000円(税込) で受講いただけます。
5名様以降は、1名あたり 30,000円(税別) / 33,000円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 55,000円(税別) / 60,500円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 100,000円(税別) / 110,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 150,000円(税別) / 165,000円(税込)
- 4名様でお申し込みの場合 : 4名で 200,000円(税別) / 220,000円(税込)
- 5名様でお申し込みの場合 : 5名で 230,000円(税別) / 253,000円(税込)

同一法人内による複数名同時申込みのみ適用いたします。
請求書は、代表者にご送付いたします。
他の割引は併用できません。

アカデミック割引

1名様あたり 30,000円(税別) / 33,000円(税込)

日本国内に所在しており、以下に該当する方は、アカデミック割引が適用いただけます。

学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院、短期大学、附属病院、高等専門学校および各種学校の教員、生徒
病院などの医療機関・医療関連機関に勤務する医療従事者
文部科学省、経済産業省が設置した独立行政法人に勤務する研究者。理化学研究所、産業技術総合研究所など
公設試験研究機関。地方公共団体に置かれる試験所、研究センター、技術センターなどの機関で、試験研究および企業支援に関する業務に従事する方

支払名義が企業の場合は対象外とさせていただきます。
企業に属し、大学、公的機関に派遣または出向されている方は対象外とさせていただきます。

ライブ配信セミナーについて

本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
お申し込み前に、 Zoomのシステム要件とテストミーティングへの参加手順をご確認いただき、テストミーティングにて動作確認をお願いいたします。
開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

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半導体製造におけるシリコンウェーハのクリーン化技術・洗浄技術

admin — Mon, 30 Mar 2026 09:28:55 +0000

半導体製造におけるシリコンウェーハのクリーン化技術・洗浄技術

～いかに汚染を防止し更には除去するか～

オンライン開催

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概要

本セミナーでは、半導体デバイスの微細化に伴い、ブレイクスルーが求められるクリーン化技術、洗浄・乾燥技術について取り上げ、歩留まり向上のための実践ノウハウについて、基礎から最先端技術までを豊富な事例を交えて分かりやすく解説いたします。
また、先端半導体製造ラインにおける汚染の実態や防止策についても多数の実例写真で紹介いたします。

開催日

2026年5月28日(木) 10時00分～ 17時00分

受講対象者

半導体に関連する研究開発・製造・技術営業・マーケティング、工場保守従事者
- 半導体デバイスメーカー
- 半導体装置メーカー
- 半導体材料メーカー
- クリーンルーム建設会社
- 空調メーカー
- ガス・純水・薬液メーカー
- 分析機器メーカー
- 半導体関連サービス企業など

修得知識

半導体クリーン化技術・洗浄・乾燥技術の基礎から最先端技術まで
半導体製造ラインにおける汚染の実態や防止策、除去方法

プログラム

　半導体デバイス (LSI) の超微細化に伴い、半導体デバイスの製造現場では、パーティクル (異物微粒子) や金属不純物、表面吸着化学汚染 (有機汚染に代表されるケミカル・コンタミネーション) などさまざまな微小 (少) な汚染物質が、半導体デバイスの歩留まりや信頼性にますます大きな悪影響を及ぼすようになっています。半導体プロセスは、その全てが汚染の発生源と言っても過言ではありません。このため、製造ラインのクリーン化 (全工程にわたり、いかに汚染を防止し、シリコンウェーハ表面をクリーンに保つか) および洗浄 (いかに汚染を除去するか) の重要性が一段と高まっています。洗浄工程は製造プロセスの中に繰り返し登場し最頻の工程になっている。しかし、半導体デバイスの微細化に伴い、洗浄も新材料・新構造への対応が迫られるとともに、洗浄・乾燥に起因する微細回路パターンの倒壊を始め、様々なトラブルが顕在化してきており、従来の洗浄技術にブレークスルーが求められています。
　本セミナーは、今までノウハウとして門外不出の内向きの技術領域として扱われてきた、歩留まり向上のための「先端半導体クリーン化技術および洗浄・乾燥技術」について、その基礎から最先端技術までを、実践的な観点から豊富な事例を交えて、初心者にもわかりやすく、かつ具体的に解説します。いままで半導体の参考書ではほとんど語られることの無かった先端半導体製造ラインにおける汚染の実態や防止策・除去手法についても多数の実例写真で紹介します。

半導体クリーン化技術 (シリコンウェーハ表面の汚染をいかに防止するか?)
1. クリーン化の目的 (なぜクリーン化すべきか)
  1. 歩留の科学、歩留習熟曲線、歩留向上の実例
  2. 歩留低下要因
    - ランダム欠陥
    - システマテック欠陥
  3. 歩留予測
    - ポアソンモデルなどによる歩留予測曲線
  4. 最新動向:「チップレット」で歩留まり向上
2. クリーン化の対象 (何をクリーン化すべきか?)
  1. 半導体微細化の年代推移
  2. 半導体製造におけるクリーンルーム空気清浄度の年代推移
  3. ウェーハ搬送方式の年代推移
  4. 汚染発生源の年代推移
  5. ミニエンバイロンメントの採用
3. 半導体表面クリーン化の手法 (汚染をどのように防止すべきか?)
  1. 半導体製造におけるパーティクル汚染の実態
  2. パーティクル汚染の低減防止策
  3. 半導体製造における金属汚染の実態
  4. 金属汚染の低減防止策
  5. 半導体製造における無機化学汚染の実態
  6. 無機化学汚染の低減防止策
  7. 半導体製造における有機化学汚染の実態
  8. 有機化学低減防止策
4. 半導体クリーン化技術まとめ
5. 最先端の話題
  1. 超微細化にともなうナノパーティクル対策への挑戦
  2. 歩留まり向上のためのビッグデータ、AI、仮想計測の活用
半導体洗浄乾燥技術 (シリコンウェーハ表面の汚染をいかに除去するか)
1. 半導体製造における洗浄技術の重要性
  1. 半導体デバイス製造フロー、プロセスフローにおける洗浄の位置づけ
  2. 製造工程でパーティクル低減に向けたウェット洗浄の役割
2. 表面汚染除去のメカニズム
  1. パーティクル汚染除去のメカニズム
  2. 金属汚染除去のメカニズム
  3. 有機汚染除去のメカニズム
3. ウェーハ表面洗浄手法
  1. ウェーハ表面洗浄の歴史
  2. RCA洗浄とその代替・改良技術
  3. 浸漬式洗浄の問題点
  4. 枚葉スピン洗浄の利点
  5. SCROD洗浄
  6. 最新情報:SCROD洗浄を応用した超微細加工デジタルエッチング
4. ウェーハ表面乾燥手法
  1. ウェーハ乾燥方式の変遷
  2. マランゴ二乾燥、ロタゴ二乾燥
  3. ウオーターマーク発生とその対策
5. 回路パターン付きウェーハ洗浄の現状と課題
  1. トランジスタ形成工程の洗浄の現状と課題
  2. 多層配線工程の洗浄の現状と課題
6. ウェーハ大口径化に向けての洗浄の課題と展望
7. 超微細構造の洗浄の課題と解決策
  1. 純水の問題点
    - 絶縁性
    - ウォーターマーク
    - 高誘電性
    - 金属溶解など
  2. 水の表面張力による微細パターン倒壊の実態
  3. 洗浄時の物理力による微細パターン倒壊の実態
8. 超微細構造にダメージを与えない洗浄・乾燥技術
  1. 二流体、メガソニックなどのダメジレスウェット洗浄
  2. HFべーパー、エアロゾル洗浄などのさまざまなドライクリーニング
  3. 超臨界流体洗浄・乾燥
  4. 究極の局所洗浄
    - レーザー
    - AFMプローブ
    - ナノピンセットなど
9. 洗浄・乾燥技術のまとめ
10. 最先端の話題
  1. 超微細化デバイスで採用される新材料新構造への洗浄技術の対応
  2. 洗浄・乾燥技術の最先端研究課題
  3. 半導体洗浄技術に関する2大国際会議紹介
  4. 最近の洗浄技術国際会議での最先端の話題

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講師

服部毅 (Hattori Consulting International) 氏
Hattori Consulting International

代表

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主催

株式会社 R&D支援センター

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お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 50000円 (税別) / 55,000円 (税込)

複数名

: 25000円 (税別) / 27,500円 (税込) (案内をご希望の場合に限ります)

案内割引・複数名同時申込割引について

「案内の希望」をご選択いただいた場合、1名様 45,000円(税別) / 49,500円(税込) で受講いただけます。
複数名で同時に申込いただいた場合、1名様につき 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。

R&D支援センターからの案内を希望する方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
R&D支援センターからの案内を希望しない方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 100,000円(税別) / 110,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 150,000円(税別) / 165,000円(税込)

ライブ配信セミナーについて

本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
お申し込み前に、 Zoomのシステム要件とテストミーティングへの参加手順をご確認いただき、テストミーティングにて動作確認をお願いいたします。
開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
セミナー資料は郵送にて前日までにお送りいたします。
開催まで4営業日を過ぎたお申込みの場合、セミナー資料の到着が、開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。
ライブ配信の画面上でスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。
印刷物は後日お手元に届くことになります。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

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半導体製造におけるシリコンウェーハの精密洗浄・乾燥および汚染除去技術の基礎から最新動向まで

admin — Mon, 24 Nov 2025 08:24:57 +0000

半導体製造におけるシリコンウェーハの精密洗浄・乾燥および汚染除去技術の基礎から最新動向まで

～半導体洗浄・乾燥技術編～

東京都開催会場・オンライン開催

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本セミナーは終了いたしました。

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2026年3月27日,4月17日「半導体製造におけるシリコンウェーハ表面のクリーン化・歩留向上技術および洗浄・乾燥技術 2か月連続セミナー」
- 通常受講料: 84,040円(税込) → 割引受講料 71,060円(税込)

概要

開催日

2026年4月17日(金) 10時00分～ 17時00分

受講対象者

半導体に関連する研究開発・製造・技術営業・マーケティング、工場保守従事者
- 半導体デバイスメーカー
- 半導体装置メーカー
- 半導体材料メーカー
- クリーンルーム建設会社
- 空調メーカー
- ガス・純水・薬液メーカー
- 分析機器メーカー
- 半導体関連サービス企業など

修得知識

半導体クリーン化技術・洗浄・乾燥技術の基礎から最先端技術まで
半導体製造ラインにおける汚染の実態や防止策、除去方法

プログラム

　半導体デバイスの微細化に伴い、半導体の製造現場では、パーティクル、金属汚染、ケミカル汚染など様々な微小な汚染物質が半導体デバイスの歩留まりや信頼性にますます大きな影響を及ぼすようになってきています。半導体プロセスはそのすべてが汚染の発生源です。これらの汚染が半導体ウェーハ表面に付着してしまった場合は、洗浄で除去しなければなりません、このため、洗浄工程は、歩留りを左右する重要な工程として、半導体製造プロセスの中に繰り返し登場し、最頻工程となっています。しかし、半導体デバイスの微細化に伴い、洗浄に伴う様々なトラブルが顕在化してきており、従来の洗浄技術にブレークスルーが求められています。たとえば、洗浄時に水の表面で微細パターンが倒壊してしまうために、表面張力がない超臨界流体洗浄・乾燥はじめ様々な新しい手法が密かに海外で検討され生産導入されています。
　しかし、洗浄技術は、製造現場の歩留まりと直結するため、今まで誰も語ろうとはせず、半導体参考書にもほとんど取り上げてきませんでした。リバースエンジニアリング (市販されている半導体チップを分解してライバル会社のデバイス構造や材料を突き止める技術) によってデバイスの微細構造を観察できても洗浄プロセス情報は全く得られません。
　本講演では、半導体洗浄技術の基礎、現状の課題と解決策、そして世界最先端の最新動向までを、実践的な観点から豊富な事例を交え、初心者にも分かりやすく、かつ具体的に徹底解説します。最近開催された、そして今後開催される半導体洗浄技術国際会議での最先端の話題も紹介します。
　半導体洗浄を学ぶことは、洗浄対象となる半導体製造工程全体を学ぶことでもありますので、この講義を通して半導体プロセス技術の最新情報を得ることができます。
　なお、「シリコンウェーハ上の汚染物質をいかに除去するか」に焦点を当てた本洗浄技術講座は、3月開催の「シリコンウェーハ上の汚染物質をいかに防止するか」に焦点を当てたクリーン化技術講座と対になっています。両講座とも受講されるのが望ましいですが、本講座だけ受講することも可能です。

ウェーハ洗浄・乾燥の基礎
1. 半導体製造における洗浄の重要性
  1. 半導体デバイスの製造フロー
  2. 半導体製造のプロセスフロー
  3. 製造工程でのパーティクル推移
  4. 半導体微細化の年代推移
  5. 半導体製造において管理対象とすべき汚染の種類の変遷
  6. ウェーハ表面汚染の種類とデバイス特性への影響
  7. 国際半導体技術ロードマップにおける表面汚染管理目標値の見方
2. 表面汚染除去のメカニズム
  1. ウェット洗浄メカニズムのイメージ
  2. パーティクル除去のメカニズム
    - 基板との相互作用
    - エッチング深さやpH依存性
    - 経時変化の影響
  3. 金属汚染除去のメカニズム
  4. 有機汚染除去のメカニズム
    - ウェット洗浄による有機汚染除去
3. ウェーハ洗浄・乾燥手法
  1. 1970年代以前のシリコンウェーハ洗浄手法
  2. RCA洗浄の由来 – オリジナル論文。RCA社の変遷
  3. 多層浸漬式RCA洗浄とその基本条件
  4. RCA洗浄のメカニズム、目的と問題点
  5. ホットトピックス – 対韓輸出規制のHFにまつわる話題
  6. RCA洗浄の代替・改良例
  7. クリーンな洗浄の前提条件 – ウェット洗浄中のパーティクルの転写
  8. 過去は洗浄液の純度、現在はウェーハの汚染レベルが支配的
  9. 主なウェーハ乾燥方式
  10. マランゴニ乾燥の原理
  11. ウォータマークの発生メカニズム
  12. 浸漬式から枚葉スピン式洗浄へ
  13. バッチ浸漬式洗浄と枚葉スピン洗浄の比較
  14. 枚葉スピン洗浄シーケンス (講演者が開発したSCROD洗浄の詳細)
  15. 枚葉スピン洗浄の様々な利点
    1. 半導体産業・製造のパラダイム転換
    2. CMOS製造ラインの各装置の生産能力
    3. 液浸リソグラフィのウェハエッジのパーティクル問題
    4. ベベル洗浄
    5. 枚葉スピン洗浄の適用範囲拡大
  16. 枚葉スピン洗浄の最後の難問:SiNエッチ
  17. 枚葉スピン洗浄機でWETとDRY共用
  18. 主な浸漬式洗浄のウェーハ乾燥方式
    1. ウォータマークの発生
    2. 空気遮断板を用いた感動方式
    3. IPA吹付置換乾燥方式
  19. 半導体トップメーカーの洗浄枚葉化指向
  20. 洗浄装置売上高の推移と各社市場シェア
回路パターン付きウェーハ洗浄の現状と課題
1. 微細構造・新材料対応の洗浄技術
  1. トランジスタ構造と材料の変化
  2. 微細化トレンドと新材料の必要性
  3. 先端半導体洗浄に使用される材料の変遷
  4. MOSLSIで使用されてきた主な材料の変遷と今後の方向
2. トランジスタ形成 (FEOL) 工程の洗浄の現状と課題
  1. High – k/メタルゲート周りの洗浄
    1. High – kの理由
    2. 異種金属導入への対応
    3. ケーススタディ1: High – kエッチング液設計
    4. ゲート周り洗浄の課題
    5. FinFETプロセス
3. 多層配線 (BEOL) 工程の洗浄の現状と課題
  1. CMOS – LSIの断面構造
  2. 多層配線を活用したCMP技術
  3. 配線遅延問題:AlからCu へ
  4. ITRSのk値ロードマップはでたらめ
  5. ケーススタディ2:Cuデュアルダマシン構造とその洗浄
  6. BEOL洗浄の課題
  7. 先端CMOSにおける洗浄技術の課題のまとめ
超微細化に向けたウェーハ洗浄技術の展望
1. ウェーハ大口径化に向けての洗浄の課題と展望
  1. 大口径化の変遷と今後の動向
  2. 450mmウェーハ対応洗浄装置の評価データ
2. 超微細構造に向けての洗浄の課題 (1) (微細構造洗浄における超純水の問題点)
  1. 純粋の絶縁性
  2. ウォータマークの発生
  3. 水の高誘電性
  4. 水の金属腐食性
    1. FEOLの問題点 – High – kキャップ材の消失
    2. BEOLの問題点 – CuやCoの消失
  5. 水の高表面張力による回路パターン倒壊
    1. パターン倒壊・癒着の実例
    2. パターン倒壊のメカニズム
    3. パターン倒壊の対処法
      - ラプラス圧制御
      - 表面改質
      - 設計変更
      - DFM
      - ドライ洗浄
3. 超微細構造に向けての洗浄の問題点 (2) (洗浄時に意図的に加えられる物理力によるパターン倒壊)
  1. 洗浄時の物理力によるパターン倒壊例
  2. 洗浄時に物理力を加えざるを得ない背景
  3. ウェット洗浄による微細パターンダメージ
4. 脆弱な超微細構造にダメージを与えない洗浄・乾燥技術
  1. ダメジレスウェット洗浄 (二流体洗浄、ガス溶存メガソニック洗浄)
  2. 代表的なドライ洗浄と長所・欠点
  3. HFベーパー洗浄
  4. エアロゾルクリーニング
  5. ガスクラスタクリーニング
  6. サブリメーションクリーニングによるウェーハ乾燥時のパターン倒壊防止
  7. 乾燥直前表面改質によるウェーハ乾燥時のパターン倒壊防止
  8. 超臨界流体を利用したウェーハ乾燥時のパターン倒壊防止
    1. 超臨界流体洗浄を用いたウェーハ乾燥手順
    2. 超臨界流体洗浄・乾燥システム
  9. 超臨界流体洗浄の先端半導体デバイスへの応用
  10. 局所クリーニング
    1. 局所クリーニングの必要性
    2. レーザー照射を用いたクリーニング
    3. AFMナノプローブ
    4. ナノピンセットなどによる究極の局所クリーニング
    5. シリコンウェーハ局所クリーニングのまとめ
おわりに
1. 今までのまとめ
2. 半導体メモリの技術動向と洗浄の課題と解決策
3. ロジックICの技術動向と洗浄の課題と解決策
4. 超微細デバイスに採用予定の新構造 (GAA, Ribbon FETなど) への洗浄の対応
  1. 半導体ロジックデバイスの最新ロードマップ – IMECとIntelの例
  2. トランジスタ構造の変遷:過去から未来へ
  3. ゲートオールアラウンド名のワイヤFET
  4. 超微細化への洗浄の対応
  5. 洗浄技術の先端研究課題
  6. ホットトピックス
    - 表面改質でパターン倒壊防止
    - デジタルエッチングで超微細加工
5. 半導体洗浄技術国際会議から見た洗浄技術の最新動向
  1. 世界の洗浄国際会議の紹介
  2. 最近の洗浄国際会議のレビュー
  3. 直近のimec主催の洗浄国際会議UCPSS2025参加/講演の詳細報告
    1. 洗浄技術は日本が世界をリードし日本勢が最多発表
    2. サムスンやSCREENが語った洗浄技術の課題と展望

質疑応答

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講師

服部毅 (Hattori Consulting International) 氏
Hattori Consulting International

代表

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会場

品川区立総合区民会館きゅりあん

5F 第3講習室

東京都品川区東大井5丁目18-1

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主催

サイエンス＆テクノロジー株式会社

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 38200円 (税別) / 42,020円 (税込)

複数名

: 25000円 (税別) / 27,500円 (税込)

複数名受講割引

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 38,200円(税別) / 42,020円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
請求書は、代表者にご送付いたします。
請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
他の割引は併用できません。
サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。

2日間コースのお申込み

2026年3月27日,4月17日「半導体製造におけるシリコンウェーハ表面のクリーン化・歩留向上技術および洗浄・乾燥技術 2か月連続セミナー」
- 通常受講料: 84,040円(税込) → 割引受講料 71,060円(税込)

セット対象セミナー

2026年3月27日「半導体製造ラインの汚染の実態と歩留向上のためのシリコンウェーハ表面汚染防止技術の基礎から最新動向まで」 (半導体クリーン化・歩留向上技術編)
- 受講料 : 38,200円(税別) / 42,020円(税込)
2026年4月17日「半導体製造におけるシリコンウェーハの精密洗浄・乾燥および汚染除去技術の基礎から最新動向まで」 (半導体洗浄・乾燥技術編)
- 受講料 : 38,200円(税別) / 42,020円(税込)

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ライブ配信をご選択の場合、以下の流れ・受講内容となります。
※会場で受講の場合、このサービスは付与されませんのでご注意ください。

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セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
セミナー資料は郵送にて前日までにお送りいたします。電子媒体での配布はございません。
開催まで4営業日を過ぎたお申込みの場合、セミナー資料の到着が、開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。
ライブ配信の画面上でスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。
印刷物は後日お手元に届くことになります。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

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半導体製造におけるシリコンウェーハ表面のクリーン化・歩留向上技術および洗浄・乾燥技術 2か月連続セミナー

admin — Mon, 24 Nov 2025 08:12:54 +0000

半導体製造におけるシリコンウェーハ表面のクリーン化・歩留向上技術および洗浄・乾燥技術 2か月連続セミナー

～基礎から最新動向まで～

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概要

開催日

2026年3月27日(金) 10時00分～ 17時00分
2026年4月17日(金) 10時00分～ 17時00分

受講対象者

半導体に関連する研究開発・製造・技術営業・マーケティング、工場保守従事者
- 半導体デバイスメーカー
- 半導体装置メーカー
- 半導体材料メーカー
- クリーンルーム建設会社
- 空調メーカー
- ガス・純水・薬液メーカー
- 分析機器メーカー
- 半導体関連サービス企業など

修得知識

半導体クリーン化技術・洗浄・乾燥技術の基礎から最先端技術まで
半導体製造ラインにおける汚染の実態や防止策、除去方法

プログラム

　半導体デバイス (LSI) の超微細化に伴い、半導体デバイスの製造現場では、パーティクル (異物微粒子) や金属不純物、表面吸着化学汚染 (有機汚染に代表されるケミカル・コンタミネーション) などさまざまな微小 (少) な汚染物質が、半導体デバイスの歩留まりや信頼性にますます大きな悪影響を及ぼすようになっています。半導体プロセスは、その全てが汚染の発生源と言っても過言ではありません。このため、製造ラインのクリーン化 (全工程にわたり、いかに汚染を防止し、シリコンウェーハ表面をクリーンに保つか) および洗浄 (防止しきれなかった汚染をいかに除去するか) の重要性が一段と高まっています。
　本セミナーは、今まで半導体メーカー極秘のノウハウとして門外不出の内向きの技術領域として扱われてきた「歩留まり向上のための先端半導体クリーン化技術および洗浄・乾燥技術」について、その基礎の基礎から最先端技術までを、実践的な観点から豊富な事例を交えて、初心者にもわかりやすく、かつ具体的に解説します。
　いままで半導体の参考書では語られることが無かった半導体製造ラインにおける汚染の実態や防止策・除去手法についても多数の実例写真で紹介します。洗浄技術はリバースエンジニアリングで全く把握できず、参考書でもほとんど取り上げられない内容をカバーしております。

2026年3月27日「半導体製造ラインの汚染の実態と歩留向上のためのシリコンウェーハ表面汚染防止技術の基礎から最新動向まで」 (半導体クリーン化・歩留向上技術編)

ビデオ学習〜半導体製造現場・クリーンルーム見学〜 (講義中に随時上映)
- 最先端 (300/450mmFOUP方式) 半導体工場クリーンルーム・製造現場見学
  (米国G450Cの450mmライン、米国Intel、キオクシア (旧東芝メモリ) などの300mm最先端ライン)
- 旧来 (150/200mmオープンカセット方式半導体工場クリーンルーム・製造現場見学

世界および日本半導体産業の最新動向概説
- まずは世界半導体産業の現状と日本の置かれた位置を把握しよう
クリーン化の目的 (なぜクリーン化すべきか?)
1. 歩留向上の重要性
2. 歩留の定義
3. 歩留習熟曲線とその実例
4. 歩留の低下要因
5. ランダム欠陥・固定欠陥
6. 歩留り予測モデル (歩留の科学)
7. 歩留の科学を理解するための練習問題
8. ホットトピック:チップレットの概念とこれを用いることで歩留向上の極意
クリーン化の対象 (何をクリーン化すべきか?)
1. 半導体の最小線幅の年代推移
2. 半導体製造における空気清浄度の推移
3. ウェーハ搬送方式の推移
4. 汚染発生源の推移
5. ミニエンバイロンメント (200mm SMIF/300・450mm FOUP)
6. ホットトピック:クリーンルーム不要へ向けてまったく新しい概念のクリーンルーム
7. 半導体製造におけるクリーン化の優先順位
8. 半導体製造における汚染の実態とそれぞれの汚染によるデバイス不良例
9. ウェーハ表面汚染の種類と主なデバイス特性への影響
10. 半導体製造装置・プロセスの主な発塵源
半導体表面クリーン化の手法 (汚染をどのように防止すべきか?)
1. ウェーハ表面の汚染分析手法
2. 半導体プロセスにおけるパーティクルの低減・防止対策
  1. パーティクルによる様々な不良の実例
  2. 製造ラインでのパーティクルモニタリング
  3. 製造ラインでのパーティクル低減手法
  4. 半導体製造装置の主な発塵減
  5. 半導体製造プロセスの発塵減と低減防止策
  6. パーティクル沈着機構の変遷
  7. 洗浄によるパーティクル除去メカニズム
3. 半導体プロセスにおける金属汚染の低減・防止策
  1. 金属汚染のデバイスへの影響
  2. 微細化に伴う新金属材料の必要性
  3. 金属汚染防止策
  4. 金属汚染ゲッタリング策
  5. 洗浄による金属汚染除去
4. 半導体プロセスにおける無機化学汚染の低減・防止策
  1. 空気中のドーパント起因の不良
  2. 空気中のアンモニア起因の不良
  3. 空気中の酸起因の不良
  4. 空気中の無機化学汚染の低減防止策
5. 半導体プロセスにおける有機化学汚染の低減・防止策
  1. 有機汚染のデバイス・プロセスへの影響
  2. リソグラフィにおける有機汚染の分解
  3. 有機汚染によるレンズやミラーの曇り
  4. クリーンルームにおける有機汚染の発生源
  5. ウェーハ収納ボックスからの有機汚染発生
  6. ウェーハ表面有機汚染の低減・防止策
  7. 有機汚染の除去メカニズム
  8. ウェーハの保管方式の変遷
6. ホットトピック:発生源が内部にあることを想定しなかったFOUPの問題点とFOUP内の窒素パージによる各種汚染の防止策
7. ホットトピックス:FOUP内部の雰囲気分析
まとめ
1. クリーン化技術のパラダイム転換
2. 今まで計測できなかったナノパーティクルの課題と展望
3. 歩留まり向上手法 (SPC, APC, FDC,YMSなど) へのビッグデータ、IoT (モノのインターネット) 、AI (人工知能、マシンラーニング) 、仮想計測 (VM) など最新手法の活用
4. 将来に向けた提案:クリーンルームやFOUPを用いないオール枚葉搬送・処理方式

質疑応答

2026年4月17日「半導体製造におけるシリコンウェーハの精密洗浄・乾燥および汚染除去技術の基礎から最新動向まで」 (半導体洗浄・乾燥技術編)

ウェーハ洗浄・乾燥の基礎
1. 半導体製造における洗浄の重要性
  1. 半導体デバイスの製造フロー
  2. 半導体製造のプロセスフロー
  3. 製造工程でのパーティクル推移
  4. 半導体微細化の年代推移
  5. 半導体製造において管理対象とすべき汚染の種類の変遷
  6. ウェーハ表面汚染の種類とデバイス特性への影響
  7. 国際半導体技術ロードマップにおける表面汚染管理目標値の見方
2. 表面汚染除去のメカニズム
  1. ウェット洗浄メカニズムのイメージ
  2. パーティクル除去のメカニズム
    - 基板との相互作用
    - エッチング深さやpH依存性
    - 経時変化の影響
  3. 金属汚染除去のメカニズム
  4. 有機汚染除去のメカニズム
    - ウェット洗浄による有機汚染除去
3. ウェーハ洗浄・乾燥手法
  1. 1970年代以前のシリコンウェーハ洗浄手法
  2. RCA洗浄の由来 – オリジナル論文。RCA社の変遷
  3. 多層浸漬式RCA洗浄とその基本条件
  4. RCA洗浄のメカニズム、目的と問題点
  5. ホットトピックス – 対韓輸出規制のHFにまつわる話題
  6. RCA洗浄の代替・改良例
  7. クリーンな洗浄の前提条件 – ウェット洗浄中のパーティクルの転写
  8. 過去は洗浄液の純度、現在はウェーハの汚染レベルが支配的
  9. 主なウェーハ乾燥方式
  10. マランゴニ乾燥の原理
  11. ウォータマークの発生メカニズム
  12. 浸漬式から枚葉スピン式洗浄へ
  13. バッチ浸漬式洗浄と枚葉スピン洗浄の比較
  14. 枚葉スピン洗浄シーケンス (講演者が開発したSCROD洗浄の詳細)
  15. 枚葉スピン洗浄の様々な利点
    1. 半導体産業・製造のパラダイム転換
    2. CMOS製造ラインの各装置の生産能力
    3. 液浸リソグラフィのウェハエッジのパーティクル問題
    4. ベベル洗浄
    5. 枚葉スピン洗浄の適用範囲拡大
  16. 枚葉スピン洗浄の最後の難問:SiNエッチ
  17. 枚葉スピン洗浄機でWETとDRY共用
  18. 主な浸漬式洗浄のウェーハ乾燥方式
    1. ウォータマークの発生
    2. 空気遮断板を用いた感動方式
    3. IPA吹付置換乾燥方式
  19. 半導体トップメーカーの洗浄枚葉化指向
  20. 洗浄装置売上高の推移と各社市場シェア
回路パターン付きウェーハ洗浄の現状と課題
1. 微細構造・新材料対応の洗浄技術
  1. トランジスタ構造と材料の変化
  2. 微細化トレンドと新材料の必要性
  3. 先端半導体洗浄に使用される材料の変遷
  4. MOSLSIで使用されてきた主な材料の変遷と今後の方向
2. トランジスタ形成 (FEOL) 工程の洗浄の現状と課題
  1. High – k/メタルゲート周りの洗浄
    1. High – kの理由
    2. 異種金属導入への対応
    3. ケーススタディ1: High – kエッチング液設計
    4. ゲート周り洗浄の課題
    5. FinFETプロセス
3. 多層配線 (BEOL) 工程の洗浄の現状と課題
  1. CMOS – LSIの断面構造
  2. 多層配線を活用したCMP技術
  3. 配線遅延問題:AlからCu へ
  4. ITRSのk値ロードマップはでたらめ
  5. ケーススタディ2:Cuデュアルダマシン構造とその洗浄
  6. BEOL洗浄の課題
  7. 先端CMOSにおける洗浄技術の課題のまとめ
超微細化に向けたウェーハ洗浄技術の展望
1. ウェーハ大口径化に向けての洗浄の課題と展望
  1. 大口径化の変遷と今後の動向
  2. 450mmウェーハ対応洗浄装置の評価データ
2. 超微細構造に向けての洗浄の課題 (1) (微細構造洗浄における超純水の問題点)
  1. 純粋の絶縁性
  2. ウォータマークの発生
  3. 水の高誘電性
  4. 水の金属腐食性
    1. FEOLの問題点 – High – kキャップ材の消失
    2. BEOLの問題点 – CuやCoの消失
  5. 水の高表面張力による回路パターン倒壊
    1. パターン倒壊・癒着の実例
    2. パターン倒壊のメカニズム
    3. パターン倒壊の対処法
      - ラプラス圧制御
      - 表面改質
      - 設計変更
      - DFM
      - ドライ洗浄
3. 超微細構造に向けての洗浄の問題点 (2) (洗浄時に意図的に加えられる物理力によるパターン倒壊)
  1. 洗浄時の物理力によるパターン倒壊例
  2. 洗浄時に物理力を加えざるを得ない背景
  3. ウェット洗浄による微細パターンダメージ
4. 脆弱な超微細構造にダメージを与えない洗浄・乾燥技術
  1. ダメジレスウェット洗浄 (二流体洗浄、ガス溶存メガソニック洗浄)
  2. 代表的なドライ洗浄と長所・欠点
  3. HFベーパー洗浄
  4. エアロゾルクリーニング
  5. ガスクラスタクリーニング
  6. サブリメーションクリーニングによるウェーハ乾燥時のパターン倒壊防止
  7. 乾燥直前表面改質によるウェーハ乾燥時のパターン倒壊防止
  8. 超臨界流体を利用したウェーハ乾燥時のパターン倒壊防止
    1. 超臨界流体洗浄を用いたウェーハ乾燥手順
    2. 超臨界流体洗浄・乾燥システム
  9. 超臨界流体洗浄の先端半導体デバイスへの応用
  10. 局所クリーニング
    1. 局所クリーニングの必要性
    2. レーザー照射を用いたクリーニング
    3. AFMナノプローブ
    4. ナノピンセットなどによる究極の局所クリーニング
    5. シリコンウェーハ局所クリーニングのまとめ
おわりに
1. 今までのまとめ
2. 半導体メモリの技術動向と洗浄の課題と解決策
3. ロジックICの技術動向と洗浄の課題と解決策
4. 超微細デバイスに採用予定の新構造 (GAA, Ribbon FETなど) への洗浄の対応
  1. 半導体ロジックデバイスの最新ロードマップ – IMECとIntelの例
  2. トランジスタ構造の変遷:過去から未来へ
  3. ゲートオールアラウンド名のワイヤFET
  4. 超微細化への洗浄の対応
  5. 洗浄技術の先端研究課題
  6. ホットトピックス
    - 表面改質でパターン倒壊防止
    - デジタルエッチングで超微細加工
5. 半導体洗浄技術国際会議から見た洗浄技術の最新動向
  1. 世界の洗浄国際会議の紹介
  2. 最近の洗浄国際会議のレビュー
  3. 直近のimec主催の洗浄国際会議UCPSS2025参加/講演の詳細報告
    1. 洗浄技術は日本が世界をリードし日本勢が最多発表
    2. サムスンやSCREENが語った洗浄技術の課題と展望

質疑応答

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講師

服部毅 (Hattori Consulting International) 氏
Hattori Consulting International

代表

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会場

品川区立総合区民会館きゅりあん

東京都品川区東大井5丁目18-1

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主催

サイエンス＆テクノロジー株式会社

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 64600円 (税別) / 71,060円 (税込)

複数名

: 40000円 (税別) / 44,000円 (税込)

複数名受講割引

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 40,000円(税別) / 44,000円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 64,600円(税別) / 71,060円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 80,000円(税別) / 88,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 120,000円(税別) / 132,000円(税込)
申込みフォームの受講方法から「オンライン」をご選択ください。
他の割引は併用できません。
サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

1名様あたり 20,000円(税別) / 22,000円(税込)
企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。

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印刷物は後日お手元に届くことになります。
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タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
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半導体製造ラインの汚染の実態と歩留向上のためのシリコンウェーハ表面汚染防止技術の基礎から最新動向まで

admin — Mon, 24 Nov 2025 08:24:32 +0000

半導体製造ラインの汚染の実態と歩留向上のためのシリコンウェーハ表面汚染防止技術の基礎から最新動向まで

～半導体クリーン化・歩留向上技術編～

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2026年3月27日,4月17日「半導体製造におけるシリコンウェーハ表面のクリーン化・歩留向上技術および洗浄・乾燥技術 2か月連続セミナー」
- 通常受講料: 84,040円(税込) → 割引受講料 71,060円(税込)

概要

開催日

2026年3月17日(火) 10時00分～ 17時00分

受講対象者

半導体に関連する研究開発・製造・技術営業・マーケティング、工場保守従事者
- 半導体デバイスメーカー
- 半導体装置メーカー
- 半導体材料メーカー
- クリーンルーム建設会社
- 空調メーカー
- ガス・純水・薬液メーカー
- 分析機器メーカー
- 半導体関連サービス企業など

修得知識

半導体クリーン化技術・洗浄・乾燥技術の基礎から最先端技術まで
半導体製造ラインにおける汚染の実態や防止策、除去方法

プログラム

　ULSI半導体デバイスの微細化に伴い、半導体デバイスの製造現場では、パーティクル (異物微粒子) や金属不純物、表面吸着化学汚染 (無機/有機汚染によるケミカル・コンタミネーション) など様々な微小な汚染物質が、半導体デバイスの歩留りや信頼性にますます大きな悪影響を及ぼすようになっています。半導体プロセスは、そのすべてが汚染の発生源と言っても過言ではありません。このため、製造ラインの超クリーン化 (全工程にわたり、いかに汚染を防止し、Siウェーハ表面をクリーンに保つか) の重要性が一段と高まっています。設計ルールが5nmを切り、3 – 2nm時代を迎えるに至り、今後は今まで問題にしてこなかったナノパーティクルの計測と防止・除去が大きな課題となっています。また、イメージセンサでは金属汚染低減が最大の課題となっています。超クリーン化技術は、これまでノウハウとして門外不出の内向きの技術領域として扱われてきましたが、半導体製造の根幹である半導体表面クリーン化の視点に立った科学的アプローチが必要です。
　本セミナーでは、歩留り向上のためのULSI半導体クリーン化技術 (ウェーハ表面の汚染をいかに防止するか) について、その基礎から最先端技術までを、実践的な観点から豊富な事例を交えて、初心者にも分かりやすく、かつ具体的に徹底解説します。米国・台湾・日本の様々な半導体クリーンルームや製造現場 (450mm〜150mmウェーハライン) の実写ビデオを見て議論しながら、考える学習をしましょう。
　だんだん汚染物質が微小 (あるいは微少) 化しているので、除去が極めて困難になってきたため、汚染防止の重要性が増しております。
　本講座は、いわば「半導体表面に付着する汚染物質をいかに防止するか」に関するセミナーです。加えて4月に「先端半導体洗浄・乾燥技術」というセミナーを開催します。こちらは「半導体表面に付着してしまった汚染をいかに除去するか」に関するセミナーです。最近話題のホットトピックスも取り上げます。ぜひ両方受講されることをお勧めします。

ビデオ学習〜半導体製造現場・クリーンルーム見学〜 (講義中に随時上映)
- 最先端 (300/450mmFOUP方式) 半導体工場クリーンルーム・製造現場見学
  (米国G450Cの450mmライン、米国Intel、キオクシア (旧東芝メモリ) などの300mm最先端ライン)
- 旧来 (150/200mmオープンカセット方式半導体工場クリーンルーム・製造現場見学

世界および日本半導体産業の最新動向概説
- まずは世界半導体産業の現状と日本の置かれた位置を把握しよう
クリーン化の目的 (なぜクリーン化すべきか?)
1. 歩留向上の重要性
2. 歩留の定義
3. 歩留習熟曲線とその実例
4. 歩留の低下要因
5. ランダム欠陥・固定欠陥
6. 歩留り予測モデル (歩留の科学)
7. 歩留の科学を理解するための練習問題
8. ホットトピック:チップレットの概念とこれを用いることで歩留向上の極意
クリーン化の対象 (何をクリーン化すべきか?)
1. 半導体の最小線幅の年代推移
2. 半導体製造における空気清浄度の推移
3. ウェーハ搬送方式の推移
4. 汚染発生源の推移
5. ミニエンバイロンメント (200mm SMIF/300・450mm FOUP)
6. ホットトピック:クリーンルーム不要へ向けてまったく新しい概念のクリーンルーム
7. 半導体製造におけるクリーン化の優先順位
8. 半導体製造における汚染の実態とそれぞれの汚染によるデバイス不良例
9. ウェーハ表面汚染の種類と主なデバイス特性への影響
10. 半導体製造装置・プロセスの主な発塵源
半導体表面クリーン化の手法 (汚染をどのように防止すべきか?)
1. ウェーハ表面の汚染分析手法
2. 半導体プロセスにおけるパーティクルの低減・防止対策
  1. パーティクルによる様々な不良の実例
  2. 製造ラインでのパーティクルモニタリング
  3. 製造ラインでのパーティクル低減手法
  4. 半導体製造装置の主な発塵減
  5. 半導体製造プロセスの発塵減と低減防止策
  6. パーティクル沈着機構の変遷
  7. 洗浄によるパーティクル除去メカニズム
3. 半導体プロセスにおける金属汚染の低減・防止策
  1. 金属汚染のデバイスへの影響
  2. 微細化に伴う新金属材料の必要性
  3. 金属汚染防止策
  4. 金属汚染ゲッタリング策
  5. 洗浄による金属汚染除去
4. 半導体プロセスにおける無機化学汚染の低減・防止策
  1. 空気中のドーパント起因の不良
  2. 空気中のアンモニア起因の不良
  3. 空気中の酸起因の不良
  4. 空気中の無機化学汚染の低減防止策
5. 半導体プロセスにおける有機化学汚染の低減・防止策
  1. 有機汚染のデバイス・プロセスへの影響
  2. リソグラフィにおける有機汚染の分解
  3. 有機汚染によるレンズやミラーの曇り
  4. クリーンルームにおける有機汚染の発生源
  5. ウェーハ収納ボックスからの有機汚染発生
  6. ウェーハ表面有機汚染の低減・防止策
  7. 有機汚染の除去メカニズム
  8. ウェーハの保管方式の変遷
6. ホットトピック:発生源が内部にあることを想定しなかったFOUPの問題点とFOUP内の窒素パージによる各種汚染の防止策
7. ホットトピックス:FOUP内部の雰囲気分析
まとめ
1. クリーン化技術のパラダイム転換
2. 今まで計測できなかったナノパーティクルの課題と展望
3. 歩留まり向上手法 (SPC, APC, FDC,YMSなど) へのビッグデータ、IoT (モノのインターネット) 、AI (人工知能、マシンラーニング) 、仮想計測 (VM) など最新手法の活用
4. 将来に向けた提案:クリーンルームやFOUPを用いないオール枚葉搬送・処理方式

質疑応答

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講師

服部毅 (Hattori Consulting International) 氏
Hattori Consulting International

代表

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会場

品川区立総合区民会館きゅりあん

4F 第1特別講習室

東京都品川区東大井5丁目18-1

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主催

サイエンス＆テクノロジー株式会社

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受講料

1名様

: 38200円 (税別) / 42,020円 (税込)

複数名

: 25000円 (税別) / 27,500円 (税込)

複数名受講割引

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 38,200円(税別) / 42,020円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
請求書は、代表者にご送付いたします。
請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
他の割引は併用できません。
サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。

2日間コースのお申込み

2026年3月27日,4月17日「半導体製造におけるシリコンウェーハ表面のクリーン化・歩留向上技術および洗浄・乾燥技術 2か月連続セミナー」
- 通常受講料: 84,040円(税込) → 割引受講料 71,060円(税込)

セット対象セミナー

2026年3月27日「半導体製造ラインの汚染の実態と歩留向上のためのシリコンウェーハ表面汚染防止技術の基礎から最新動向まで」 (半導体クリーン化・歩留向上技術編)
- 受講料 : 38,200円(税別) / 42,020円(税込)
2026年4月17日「半導体製造におけるシリコンウェーハの精密洗浄・乾燥および汚染除去技術の基礎から最新動向まで」 (半導体洗浄・乾燥技術編)
- 受講料 : 38,200円(税別) / 42,020円(税込)

会場受講 / Zoomを使ったライブ配信対応セミナー

会場受講またはオンラインセミナーのいずれかをご選択いただけます。

ライブ配信をご選択の場合、以下の流れ・受講内容となります。
※会場で受講の場合、このサービスは付与されませんのでご注意ください。

ビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
お申し込み前に、 Zoomのシステム要件とテストミーティングへの参加手順をご確認いただき、テストミーティングにて動作確認をお願いいたします。
開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
セミナー資料は郵送にて前日までにお送りいたします。電子媒体での配布はございません。
開催まで4営業日を過ぎたお申込みの場合、セミナー資料の到着が、開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。
ライブ配信の画面上でスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。
印刷物は後日お手元に届くことになります。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

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先端半導体デバイスにおけるCu/Low-k多層配線技術と2.5D/3Dデバイス集積化技術の基礎〜最新開発動向

admin — Sun, 14 Dec 2025 08:59:22 +0000

先端半導体デバイスにおけるCu/Low-k多層配線技術と2.5D/3Dデバイス集積化技術の基礎〜最新開発動向

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概要

本セミナーでは、先端半導体デバイスにおける多層配線の材料・構造・プロセスの変遷、CuダマシンプロセスとPost-Cu配線材料候補及びプロセス、低誘電率 (Low-k) 絶縁膜などの最新技術を解説いたします。
また、新たな技術トレンドである「裏面電源供給」のための配線形成・貼合プロセスやDRAMやNANDの3Dメモリチップ積層とウエハレベル貼合、異種デバイス集積化 (チップレットインテグレーション) 、FOWLP/PLP、ガラスサブストレート、高周波基板材料など、幅広い技術を基礎・開発動向の両面から議論いたします。

開催日

2026年3月4日(水) 10時30分～ 16時30分

プログラム

　IAI、IoT、データセンター、ADAS/自動運転、ロボティックス、5G/ポスト5Gなどのデジタル社会を支える重要基盤である高性能ロジックデバイス (MPU/CPU、GPU) やDRAM、NANDフラッシュメモリ、パワーデバイスなどに代表される先端半導体デバイスにおいて、デバイスを構成する微細トランジスタ同士を接続して論理回路を構成する多層配線に対する微細化、高密度化、低抵抗化、低容量化、高信頼化の要求が益々厳しさを増している。配線寸法やViaホール径の微細化に伴う配線・Via抵抗及び配線間容量の増大や、これらに伴う信号伝搬遅延と消費電力の増加、信頼性の低下は世代とともに極めて深刻になりつつある。
　そこで、本講ではこれまでの多層配線技術の歴史的変遷を振り返るとともに、Cuダマシン配線の製造プロセスや微細化に伴う配線抵抗増大の課題について詳しく解説した上で、Cu代替金属材料 (W、Ru、Co、Mo、Niなど) やナノカーボン材料 (CNT、グラフェン) の最新の開発動向について述べる。また、Cu配線を取り囲む誘電材料 (絶縁膜) として、配線間容量低減のために低誘電率 (Low-k) 材料を導入した経緯や課題、更なるLow-k化のための多孔質 (Porous) 材料の課題と対策、究極のLow-k技術であるAir-Gap (中空) 技術についても詳細に述べる。さらに、配線長を大幅に短縮化でき、超ワイドバス化や大容量・高速の信号伝送が可能になるSi貫通孔 (TSV) やウエハレベル貼合プロセスを用いたメモリデバイス (DRAM、NAND) の三次元 (3D) 積層化や、複数の半導体チップ (或いは従来のSoC (System on Chip) チップを機能ごとに分割したチップレット) をパッケージ基板上に近接配置して高性能システムを構成する2.5D/3D異種デバイス集積化 (チップレットインテグレーション) についても詳しく解説する。

多層配線技術の役割とスケーリング、材料・構造・プロセスの変遷
1. 多層配線の役割と要求、階層構造、フロアプランの実例
2. 配線長分布と配線階層 (Local, Intermediate, (Semi-) Global) 毎のRC寄与度の違い
3. 下層 (Local) ・中層 (Intermediate) 及び上層 ( (Semi-) Global) 配線のスケーリング理論
4. 多層配線技術の進化の足跡
5. 配線・コンタクト・Viaホールの材料・構造・プロセスの変遷
微細Cuダマシン配線技術及びPost-Cu配線形成技術の基礎〜最新動向
1. 配線プロセスの変遷 (Al-RIE⇒Cuダマシン)
2. 金属材料の物性比較とCu選定の考え方
3. Cu酸化拡散防止膜 (バリアメタル) の要件と材料候補
  - Ta (N)
  - Ti (N)
  - Nb (N)
  - W (N)
4. Ta (N) の課題 (対Cu濡れ性,対酸化性) とTi (N) の優位性
5. バリアメタル及びSeedスパッタ法の変遷と課題
6. CVD-Ru,Co,RuCoライナーによるCu埋め込み性の改善
7. Mnを利用した超薄膜バリア (MnSixOy) 自己形成技術
8. Cu電解めっきプロセスの概要と無電解法、Cuリフロー法、MOCVD法との比較、Additiveの重要性、役割、選定手法)
9. CMPプロセスの概要と研磨スラリーの種類,適用工程の拡大
10. Cu-CMPにおける低機械強度Low-k対応施策
  - 低荷重
  - 複合粒子スラリー
  - Pad表面改質
11. Cuダマシン配線における微細化・薄膜化による抵抗増大
12. 平均自由行程からみたCu代替金属材料候補の考え方
13. W, Ru, Co, Mo, Ni, Al2Cu, NiAl, CuMgなどの最新開発動向から見た有力候補
14. 金属配線の微細化限界についての考察とナノカーボン材料への期待
15. 多層CNT (MWCNT) によるViaホールへの埋め込みと課題
16. 多層グラフェン (MLG) による微細配線形成と低抵抗化検討結果
低誘電率 (Low-k/Air-Gap) 絶縁膜形成技術の基礎〜最新動向
1. Cu配線に用いられている絶縁膜の種類と役割
2. 各種配線パラメータの容量に対する感度解析結果
3. ITRS (国際半導体技術ロードマップ委員会) Low-kロードマップの課題と大改訂
4. 比誘電率 (k) 低減化の手法と材料候補
  - SiOF
  - MSQ/SiOC
  - PAr
  - BCBなど
5. 層間絶縁膜 (ILD) 構造の比較検討 (Monolithic vs. Hybrid)
6. 材料物性から見たLow-k材料の課題
  - 低機械強度
  - 低プラズマダメージ耐性など
7. Porous材料におけるPore分布の改善とEB/UV-Cure技術の適用効果
8. Porous材料におけるダメージ修復技術の効果
9. Pore後作りプロセスの提案とLow-k材料の適用限界の考察
10. Air-Gap技術の導入の考え方と構造・方式の比較、課題、現実的な解
ウエハ裏面への電源供給配線網 (BS-PDN, PowerVia, SPR) の形成技術の最新動向
1. ウエハ裏面への電源供給配線網 (BS-PDN) 形成の経緯・背景と特徴、課題
2. 埋め込み電源線 (BPR) と裏面の電源供給配線網 (BS-PDN) の接続形態と構造
3. BS-PDNを形成するための貼合プロセス例と接続断面構造
4. BS-PDNにおける回路ブロック面積及びIRドロップの低減効果
5. IntelによるPoweViaの概要と特徴、テストチップの評価結果、20A世代からの採用計画
6. TSMCもA16世代からSPRを採用へ、Samsungも2nm世代 (SF2Z) からBSPDNを採用へ
  1. D/3Dデバイス集積化技術の基礎〜最新動向
7. Si貫通孔 (TSV) によるデバイス集積化のメリット
8. TSVを用いた三次元チップ積層の実例
  - DRAM/HBM
  - NAND/SSD
9. メモリデバイスにおける積層化ロードマップ (チップ積層⇒ウエハ積層 (貼合) )
10. ウエハレベル貼合技術の種類と比較、有力候補
11. ウエハレベル貼合技術の課題と対策
  - 貼合の低温化
  - 貼合前平坦化
  - ベベル制御
12. チップレット技術による異種デバイス集積化とMooreの法則の継続
13. 各種チップレット技術の概要と特徴
  - CoWoS
  - InFO
  - EMIB
  - Foverosなど
14. 各社のチップレット技術の整理と業界団体「UCIe」の設立
15. 国内のコンソーシアム設立の動き
  - PSB
  - BB Cube 3D
  - ASRA
  - SATAS
16. ウエハレベルパッケージ (FO-WLP) 技術の特長と変遷、代表的なプロセス
17. FO-WLPとPLPの使い分け、FO-PLPの要求仕様
18. FO-PLPにおける微細再配線 (RDL) の低コスト形成プロセスの候補
19. 5G以降の高周波対応低伝送損失絶縁材料の候補
20. パッケージ基板の最新開発動向 (樹脂・シリコン基板⇒ガラス基板)
21. CoC, CoW, WoWの主要アプリとPros/Cons, 先進パッケージ技術のロードマップと市場動向
総括

質疑応答

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講師

柴田英毅氏
名古屋大学未来社会創造機構

客員教授

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主催

株式会社技術情報協会

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 50000円 (税別) / 55,000円 (税込)

複数名

: 45000円 (税別) / 49,500円 (税込)

複数名同時受講割引について

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 45,000円(税別) / 49,500円(税込) で受講いただけます。
5名様以降は、1名あたり 30,000円(税別) / 33,000円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 90,000円(税別) / 99,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 135,000円(税別) / 148,500円(税込)
- 4名様でお申し込みの場合 : 4名で 180,000円(税別) / 198,000円(税込)
- 5名様でお申し込みの場合 : 5名で 210,000円(税別) / 231,000円(税込)

同一法人内による複数名同時申込みのみ適用いたします。
請求書は、代表者にご送付いたします。
他の割引は併用できません。

アカデミック割引

1名様あたり 30,000円(税別) / 33,000円(税込)

日本国内に所在しており、以下に該当する方は、アカデミック割引が適用いただけます。

学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院、短期大学、附属病院、高等専門学校および各種学校の教員、生徒
病院などの医療機関・医療関連機関に勤務する医療従事者
文部科学省、経済産業省が設置した独立行政法人に勤務する研究者。理化学研究所、産業技術総合研究所など
公設試験研究機関。地方公共団体に置かれる試験所、研究センター、技術センターなどの機関で、試験研究および企業支援に関する業務に従事する方

支払名義が企業の場合は対象外とさせていただきます。
企業に属し、大学、公的機関に派遣または出向されている方は対象外とさせていただきます。

ライブ配信セミナーについて

本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
お申し込み前に、 Zoomのシステム要件とテストミーティングへの参加手順をご確認いただき、テストミーティングにて動作確認をお願いいたします。
開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
セミナー資料は郵送にて前日までにお送りいたします。
開催まで4営業日を過ぎたお申込みの場合、セミナー資料の到着が、開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。
ライブ配信の画面上でスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。
印刷物は後日お手元に届くことになります。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

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電子機器の故障メカニズムと未然防止・故障解析のポイント

admin — Wed, 02 Jul 2025 08:46:42 +0000

実際の市場故障をもとに考える

電子機器の故障メカニズムと未然防止・故障解析のポイント

～多くの事例とともに、実践的な未然防止法・故障解析法を解説～

オンライン開催

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ライブ配信セミナーには、特典としてアーカイブ配信が付きます。
アーカイブ配信の視聴期間は、2025年9月18日〜24日を予定しております。
ライブ配信を欠席し、アーカイブ配信のみ受講をご希望の場合は、通信欄に「ライブ欠席、アーカイブのみ受講」とご記入ください。

概要

本セミナーでは、故障に関する基礎知識と実際に行われている未然防止法と故障解析を、事例を多く用いて、初級者にも理解しやすいように説明いたします。

開催日

2025年9月17日(水) 10時00分～ 17時00分

受講対象者

車載機器、信頼性・品質に係わる初級、中級技術者

修得知識

実際に起こる市場故障の原因
自動車メーカの要求事項
様々なストレスによって発生する故障メカニズム
車載用電子部品・電子機器の信頼性評価
故障解析の基礎とポイント

プログラム

　電子機器・部品の品質、信頼性は国内産業を支えとなっており、多くの技術者が参入している。技術者の早期育成を行うために広く行われている技術の習得を急ぐが、それだけでは煩雑な市場故障に対抗できない。知識を活用するためには実際に起こっている市場故障と故障に関するモデルやメカニズム、及びその基となる物性を理解し、実際の課題を正しく把握し、未然防止策を構築する能力を育成することが不可欠である。
　以上のことから、本セミナーでは初心者にも理解しやすいように、実際の市場故障、各種部品や実装基板の故障メカニズム、温度・湿度に関する故障メカニズムの基礎知識と実際に行われている未然防止法と故障解析など、高信頼性電子機器・部品の開発・製造に関連する多くの技術をわかりやすく、図や事例を多く用いて説明する。

故障メカニズム
1. リコール情報から見る市場故障の問題
2. 実際に発生する市場故障の真の要因
3. 故障期による代表的な故障モードと発生要因
4. 部品に関する故障メカニズム
  1. 半導体デバイスの動作原理・構造・故障メカニズム
  2. 実装基板の故障メカニズム
5. ストレスによる故障メカニズム
  1. 市場で受けるストレスの種類
  2. 温度ストレスによる劣化
  3. 温湿度ストレスによる劣化
  4. 温度急変ストレスによる劣化
  5. 機械的ストレスによる劣化破壊
  6. 過渡電流・電圧による破壊
6. 外乱ノイズ
  1. 電磁波ノイズによる誤動作と未然防止
  2. サージによる破壊と未然防止
  3. 過電圧・過電流による破壊 (事例報告による)
未然防止
1. 製品における信頼性の作りこみ
2. 部品採用に関するポイント
  1. 部品メーカの信頼性の作り込み
  2. 適切な部品調達法
  3. 部品選定のための評価
  4. 良品解析事例
製品保証のための信頼性評価
1. ユーザからの要求事項
2. 一般の信頼性試験
3. 屋外など特殊環境試験
4. 寿命推定
5. 規格
市場故障に対する故障解析 (電子機器から部品まで)
1. 電子機器メーカが行う故障解析の目的
2. 電子機器メーカが行う故障解析の流れ
3. ロックイン発熱解析を用いた故障解析
4. 部品メーカ (半導体メーカ) が行う故障解析
5. 解析事例

質疑応答

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講師

味岡恒夫氏
故障物性ソリューション

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主催

サイエンス＆テクノロジー株式会社

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 38200円 (税別) / 42,020円 (税込)

複数名

: 25000円 (税別) / 27,500円 (税込)

複数名受講割引

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 38,200円(税別) / 42,020円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
請求書は、代表者にご送付いたします。
請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
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アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
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データセンター向け光インターコネクトの最新動向と光電融合技術

admin — Sun, 29 Jun 2025 16:18:29 +0000

データセンター向け光インターコネクトの最新動向と光電融合技術

～データセンターの消費電力削減へ向けた光デバイスとパッケージング技術の最新情報～

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概要

開催日

2025年9月11日(木) 10時15分～ 16時50分

修得知識

光電融合技術の背景
光電融合技術の最新技術動向
次世代光電融合に必要な要素技術
社会実装に向けた取り組み

光導波構造の基礎、各種材料を活用した場合の長所/短所の比較
シリコンフォトニクスデバイスの基本動作原理、研究開発の現状
モノリシック/ハイブリッドフォトニクス集積技術、ファブレス化の動向

光通信用レーザーの種類と特徴
電界吸収型光変調器集積レーザーに関する技術
データセンター向け高速光デバイスの今後の展望

データコム系光トランシーバの市場を牽引するクラウドデータセンタのマーケットのトレンド
同トレンドに対応する光トランシーバ業界の動向
Linear Pluggable Optics (LPO) 及びCo – packaged Optics (CPO) の最新動向

プログラム

第1部データセンタ向け光電融合半導体パッケージ技術

(2025年9月11日 10:15〜11:45)

　生成AIの登場によってデータセンタの巨大化が進んでいる。データセンタ内では大量のGPUを光通信で並列接続することで大規模演算を実現しているが、計算量の増加に従ってデータ通信に要する消費電力も爆発的に増加している。喫緊の課題である演算と消費電力の両立を実現しうる技術として、従来の光トランシーバよりも低消費電力で大容量データ通信が可能な、半導体素子と光素子を同一パッケージ上に集積した光電融合技術が世界中で注目を集めている。
　本講演では、データセンタ動向から光電融合技術が求められる背景とともに、本技術に関する最新研究動向について講演します。

光電融合半導体パッケージの背景
1. 生成AIで拡大するデータセンタ
2. 光電融合技術への期待
3. 光電融合パッケージ技術の種類とロードマップ
4. 光電融合パッケージ技術の世界的な最新研究開発動向
我々が提案する「アクティブオプティカルパッケージ」に関して
1. 概要
2. 特長
3. 要素技術1:ポリマー光導波路
4. 要素技術2:ポリマーマイクロミラー
5. 要素技術3:光コネクタ
6. 要素技術4:外部光源 (ELS) を用いた動作実証
7. アクティブオプティカルパッケージの最新成果
8. 社会実装に向けた取り組み:次世代GDC協議会光電コパッケージ検討部会

質疑応答

第2部シリコン系光導波路とフォトニクス集積技術

(2025年9月11日 12:30〜14:00)

　シリコン系光導波路素子とその集積技術 (通称:シリコンフォトニクス) は基礎的な研究段階から、産業展開に至る実用化開発段階へ移行しており、市場は急拡大を続けている。その一方、更なる高密度・高性能な光集積回路を実現に向けて、解決すべき技術課題が多数認識されており、新たなブレークスルーが求められる。
　本講演では基本的な素子動作原理から近年の技術動向、取り組むべき諸課題について取り上げ、解説を行う。

光導波路の基礎
- ガラス
- 化合物半導体
- シリコン系導波路の特徴
シリコン系光導波路デバイス
1. パッシブ光デバイス
  - カプラ
  - フィルタ
  - 入出力光結合など
2. 光変調器
3. 受光器
4. レーザー光源
フォトニクス集積技術
1. ムーアの法則と集積フォトニクスデバイスの活用
2. CMOS互換モノリシック集積技術
3. 多彩な異種材料を活用したハイブリッド集積技術
4. 光チップレット、2.5/三次元実装
5. ファブレス化、ファウンドリーサービスの現状

質疑応答

第3部データセンター向け電界吸収型光変調器集積レーザーの開発

(2025年9月11日 14:10〜15:30)

　クラウドサービスや生成AIの急拡大に伴って、サーバーやストレージ機器を収容するデータセンターの大規模化が進んでいる。生成AIでは、扱うパラメータ数が今後も増加し続けると見込まれており、その実現には光トランシーバーの継続的な高速化が必須である。
　電界吸収型光変調器集積レーザーは、高速光ファイバー通信のキーコンポーネントのひとつとして改良と開発が重ねられてきた。現在は1レーン当たりの動作速度100Gbpsの光デバイスが主流であるが、動作速度200Gbpsの光デバイスの導入も始まっており、その先を見据えたbeyond 200Gbps (すなわち 400Gbps) 時代に適用される光デバイスおよびトランシーバーの開発も進められている。
　本講座では、当社が取り組んできた電界吸収型光変調器集積レーザーの開発について概説するとともに、今後の高速光デバイスの果たすべき役割と課題についても概要を説明する。

イントロダクション
光トランシーバーの高速化
データセンター向け電界吸収型光変調器集積レーザーの開発
1. 光通信用レーザーの種類と特徴
2. 電界吸収型光変調器集積レーザー
3. 200Gbps EMLの開発
4. 400Gbps EMLの可能性
今後の展望
1. 光トランシーバーの消費電力
2. 技術トレンド
まとめ

質疑応答

第4部データセンタ向け光トランシーバの最新動向と高速、低消費電力化

(2025年9月11日 15:40〜16:50)

　ChatGPT等の生成系AIの適用が全世界的な広まりを見せる中、データセンタ内のAIクラスタでは800Gbps及び1.6Tbps光トランシーバの適用が急速に進む見通しであり、さらに3.2Tbps光トランシーバの実現に向けた光部品の開発が本格化している。本講演では、光トランシーバの最新動向をIEEEにおける次世代イーサネット光インターフェースの規格化及び光トランシーバの方式・フォームファクタの最新のトレンドの観点から概観する。

急速に拡大するデータセンタ市場の背景とトレンド (特徴、要求事項及び課題)
1. 高速化
2. 低消費電力化
3. 低遅延化
次世代超高速光トランシーバの最新動向
1. 800GbE/1.6TbE及び関連規格の最新動向
2. 低消費電力化へ向けた光トランシーバの最新動向
3. 800Gbps LPO型 OSFPトランシーバ
4. Beyond 1.6Tbps

質疑応答

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講師

天野建氏
国立研究開発法人産業技術総合研究所光電融合研究センター

研究センター長
高磊氏
国立研究開発法人産業技術総合研究所光電融合研究センター光電子集積デバイス研究チーム

上級主任研究員
森田佳道氏
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所光デバイス部デバイス第一課

副課長
平本清久氏
CIG Photonics Japan株式会社 PLM & Marketing部

統括部長

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主催

株式会社技術情報協会

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

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本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

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受講料

1名様

: 60000円 (税別) / 66,000円 (税込)

複数名

: 55000円 (税別) / 60,500円 (税込)

複数名同時受講割引について

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 55,000円(税別) / 60,500円(税込) で受講いただけます。
5名様以降は、1名あたり 30,000円(税別) / 33,000円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 60,000円(税別) / 66,000円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 110,000円(税別) / 121,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 165,000円(税別) / 181,500円(税込)
- 4名様でお申し込みの場合 : 4名で 220,000円(税別) / 242,000円(税込)
- 5名様でお申し込みの場合 : 5名で 250,000円(税別) / 275,000円(税込)

同一法人内による複数名同時申込みのみ適用いたします。
請求書は、代表者にご送付いたします。
他の割引は併用できません。

アカデミック割引

1名様あたり 30,000円(税別) / 33,000円(税込)

日本国内に所在しており、以下に該当する方は、アカデミック割引が適用いただけます。

学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院、短期大学、附属病院、高等専門学校および各種学校の教員、生徒
病院などの医療機関・医療関連機関に勤務する医療従事者
文部科学省、経済産業省が設置した独立行政法人に勤務する研究者。理化学研究所、産業技術総合研究所など
公設試験研究機関。地方公共団体に置かれる試験所、研究センター、技術センターなどの機関で、試験研究および企業支援に関する業務に従事する方

支払名義が企業の場合は対象外とさせていただきます。
企業に属し、大学、公的機関に派遣または出向されている方は対象外とさせていただきます。

ライブ配信セミナーについて

本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
お申し込み前に、 Zoomのシステム要件とテストミーティングへの参加手順をご確認いただき、テストミーティングにて動作確認をお願いいたします。
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セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
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ライブ配信の画面上でスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。
印刷物は後日お手元に届くことになります。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

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光電融合に向けた次世代コパッケージ技術と光集積・接続技術の最新動向

admin — Tue, 12 Aug 2025 06:12:48 +0000

光電融合に向けた次世代コパッケージ技術と光集積・接続技術の最新動向

～アクティブオプティカルパッケージ、シリコンフォトニクス、光チップレット集積、異種材料薄膜集積、三次元光接続技術 etc.～

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ライブ配信セミナーには、特典としてアーカイブ配信が付きます。
アーカイブ配信の視聴期間は、2025年8月28日〜9月3日を予定しております。
ライブ配信を欠席し、アーカイブ配信のみ受講をご希望の場合は、通信欄に「ライブ欠席、アーカイブのみ受講」とご記入ください。

概要

開催日

2025年8月27日(水) 10時30分～ 16時15分

修得知識

光電融合半導体パッケージの基本情報と最新動向
光電融合パッケージの設計技術の勘所
光電融合パッケージ構造の勘所
光電融合パッケージの製造技術の勘所
光電融合パッケージの評価技術の勘所

シリコンフォトニクスデバイスの基本動作原理
シリコンフォトニクスデバイスの研究開発の進展
モノリシック/ハイブリッドフォトニクス集積技術、ファブレス化の動向

プログラム

第1部光電コパッケージ技術の現状・課題と今後の展望

(2025年8月27日 10:30〜12:00)

光電融合半導体パッケージの背景
1. 生成AIで拡大するデータセンタ
2. 光電融合技術への期待
3. 光電融合パッケージ技術の種類とロードマップ
4. 光電融合パッケージ技術の世界的な最新研究開発動向
我々が提案する「アクティブオプティカルパッケージ」に関して
1. 概要
2. 特長
3. 要素技術1:ポリマー光導波路
4. 要素技術2:ポリマーマイクロミラー
5. 要素技術3:光コネクタ
6. 要素技術4:外部光源 (ELS) を用いた動作実証
7. アクティブオプティカルパッケージの最新成果
8. 社会実装に向けた取り組み:次世代GDC協議会光電コパッケージ検討部会

質疑応答

第2部光チップレット集積へ向けた異種材料薄膜集積

(2025年8月27日 13:00〜14:30)

　シリコンフォトニクス技術は、高密度な光・電子回路を実現する集積技術として注目されています。現在は基礎研究の段階から産業展開へと移行し、社会実装が加速する一方、更に高性能な光回路素子や光チップレット集積の実現には多くの技術課題が残されており、新たなブレークスルーが求められています。
　本講演では、基礎的なシリコンフォトニクス素子の動作原理について解説し、講演者の専門分野である微小・薄膜状の異種材料集積技術を交えて近年の動向を紹介します。

シリコンフォトニクス技術の進展
1. パッシブ光デバイス
  - カプラ
  - フィルタ
  - 入出力光結合など
2. 光変調器
3. 受光器
4. レーザー光源
光チップレット集積へ向けた研究開発と動向
1. ムーアの法則と集積フォトニクスデバイス
2. CMOS互換モノリシック集積技術
3. 多彩な異種材料を活用したハイブリッド集積技術
4. 光チップレット、2.5D/三次元実装
5. ファブレス化、ファウンドリーサービスの現状

質疑応答

第3部光硬化性樹脂を使用したフォトニックワイヤボンディングによるデバイス間三次元光接続技術

(2025年8月27日 14:45〜16:15)

　CPO (Co-Packaged Optics) を含めた光電融合デバイスにおいて、各光デバイス間を結合する技術として、レンズによる集光の他に「エッジ型光ファイバ結合 (Edge Fiber Coupler) 」と「回折格子型光ファイバ結合 (Grating Fiber Coupler) 」の2種類の技術が開発されています。両者の違いは、光ファイバと光導波路の配置の違いで、前者は光ファイバのエッジ (端面) と光導波路のエッジ (端面) を平行な方向に近接させて接続させるのに対して、後者は回折格子 (グレーティング) を結合部分に形成することにより、導波路に対して垂直方向から光を誘導する技術です。
　本セミナーでは、演者が研究している光硬化性樹脂によるフォトニックワイヤボンディングにより各デバイス間を三次元的に光接続する技術について解説します。本技術は、業界標準であるレンズ実装で必須とされる調芯工程を省略することができ、各デバイス間をレンズフリーで接続できることから、潜在的なポテンシャルは極めて高いといえます。

はじめに
光硬化性樹脂による三次元光導波路形成プロセス
フォトニックワイヤボンディングの構造と形成技術
応用展開と将来展望

質疑応答

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講師

天野建氏
国立研究開発法人産業技術総合研究所光電融合研究センター

研究センター長
高磊氏
国立研究開発法人産業技術総合研究所光電融合研究センター光電子集積デバイス研究チーム

上級主任研究員
雨宮智宏氏
東京科学大学工学院電気電子系

准教授

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主催

サイエンス＆テクノロジー株式会社

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受講料

1名様

: 42000円 (税別) / 46,200円 (税込)

複数名

: 27500円 (税別) / 30,250円 (税込)

複数名受講割引

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 27,500円(税別) / 30,250円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 42,000円(税別) / 46,200円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 55,000円(税別) / 60,500円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 82,500円(税別) / 90,750円(税込)
同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
請求書は、代表者にご送付いたします。
請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
他の割引は併用できません。
サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。

ライブ配信セミナーについて

本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
お申し込み前に、 Zoomのシステム要件とテストミーティングへの参加手順をご確認いただき、テストミーティングにて動作確認をお願いいたします。
開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
第1部、第2部のセミナー資料は郵送にて前日までにお送りいたします。
開催まで4営業日を過ぎたお申込みの場合、セミナー資料の到着が、開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。
ライブ配信の画面上でスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。
印刷物は後日お手元に届くことになります。
第3部のセミナー資料はPDFをダウンロードいただきます。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

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次世代データセンタにおいて広帯域、低消費電力を実現する光インターコネクト技術の開発動向

admin — Thu, 24 Apr 2025 08:29:45 +0000

次世代データセンタにおいて広帯域、低消費電力を実現する光インターコネクト技術の開発動向

～光インターコネクトの実装技術と光電融合技術～

オンライン開催

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概要

本セミナーでは、データセンタにおける技術動向、光インターコネクトの実装形態及び技術について解説し、シリコンフォトニクス、VCSEL、光トランシーバ、外部光源の技術動向について解説いたします。

開催日

2025年7月25日(金) 13時00分～ 16時30分

受講対象者

光インターコネクトに関心のある装置メーカー、半導体パッケージメーカー、材料メーカーの技術者
データセンタ及び光インターコネクトに関心のあるマーケティング部門の技術者

修得知識

データセンタの技術トレンド
ハイパフォーマンスコンピュータの技術トレンド
光インターコネクトの実装技術
プラガブル光トランシーバ
On-Board Optics
Co-Packaged Optics
シリコンフォトニクストランシーバ
高速電気信号伝送
高速光信号伝送
外部光源
光電融合技術

プログラム

　データセンタにおける伝送容量は、人工知能 (AI: Artificial Intelligence) 、機械学習 (ML: Machine Learning) 、HPC (High Performance Computing) に牽引され、著しく増大しており、2年で35倍になっていると報告されている、データセンタネットワークに用いられるネットワークスイッチの容量は2年で倍になる傾向を示してきたが、これを大きく上回っている。
　次世代のデータセンタを実現するxPU、スイッチASIC等の電子集積デバイスの高性能化に伴い、デバイス及びシステムの消費電力が上昇し、さらにそれによる熱の発生が懸念されている、次世代のデータセンタにおける光リンクの消費電力比率は右肩上がりに上昇することが予想されており、光リンクの省電力化が強く求められている。それ故、広帯域化と省電力化を両立するために、光インターコネクトの実装形態が変化してきた。
　現在、電子集積デバイスと小型光トランシーバを1枚の基板上で実装するCPO (Co-Packaged Optics) が注目されており、従来のプラガブル光トランシーバ用いた実装形態から光リンクパワーを1/5にすることが目標とされている、CPOは、光電融合技術の第一段階と定義されており、今後の技術革新に向けて重要な技術である。
　本セミナーでは、データセンタにおける技術動向、光インターコネクトの実装形態及び技術について解説し、シリコンフォトニクス、VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser/垂直共振器型面発光レーザー) 、光トランシーバ、外部光源の技術動向について解説する、また、次世代データセンタにおける光電融合技術について展望する。

はじめに
1. データセンタネットワークの技術トレンド
2. AI/ML/HPCの技術トレンド
光インターコネクトの実装形態
ボードエッジ実装
1. プラガブル光トランシーバ
2. プラガブル光トランシーバの実装技術
3. 最大伝送容量の検討
4. 広帯域化のアプローチ
5. 省電力化のアプローチ
On-Board Optics (OBO)
1. OBOトランシーバ
2. Consortium for On-Board Optics (COBO)
Co-Packaged Optics (CPO)
1. CPOの実装形態
2. CPO光トランシーバ
3. 外部光源
4. 冷却システム
光電融合技術の進展
1. 光電融合の技術ロードマップ
2. 最新技術動向
まとめ
質疑応答

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講師

那須秀行氏
古河電気工業株式会社フォトニクス研究所

フェロー

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主催

サイエンス＆テクノロジー株式会社

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受講料

1名様

: 34400円 (税別) / 37,840円 (税込)

複数名

: 22500円 (税別) / 24,750円 (税込)

複数名受講割引

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 22,500円(税別) / 24,750円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 34,400円(税別) / 37,840円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 74,250円(税込)
同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
請求書は、代表者にご送付いたします。
請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
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アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。

ライブ配信セミナーについて

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印刷物は後日お手元に届くことになります。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
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ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
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先端半導体デバイスにおける多層配線技術と2.5D/3Dデバイス集積化技術

admin — Tue, 27 May 2025 05:58:04 +0000

先端半導体デバイスにおける多層配線技術と2.5D/3Dデバイス集積化技術

～Cu (及びPost-Cu) 配線/Low-k絶縁膜、2.5D/3Dデバイス集積化の基礎から最新動向～

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概要

開催日

2025年7月24日(木) 10時30分～ 17時00分

修得知識

半導体デバイス技術
半導体製造プロセス技術
多層配線形成技術
三次元デバイス集積化技術
材料強度学
金属疲労学
固体物理学
薄膜材料物性学

プログラム

　IoT、AI、5G/ポスト5G、自動運転、ロボティックスなどのデジタル社会を支える重要基盤であるマイクロプロセッサ (MPU/CPU) やDRAM、NAND、パワーデバイスなどに代表される先端半導体デバイスにおいて、デバイスを構成する微細トランジスタ同士を接続して論理回路を構成する多層配線に対する微細化、高密度化、低抵抗化、低容量化、高信頼化の要求が益々厳しさを増している。配線寸法やViaホール径の微細化に伴う配線・Via抵抗及び配線間容量の増大や、これらに伴う信号伝搬遅延と消費電力の増加、信頼性の低下は世代とともに極めて深刻になりつつある。
　そこで、本講ではこれまでの多層配線技術の歴史的変遷を振り返るとともに、Cuダマシン配線の製造プロセスや微細化に伴う配線抵抗増大の課題について詳しく解説した上で、Cu代替金属材料 (Co、Ru、Mnなど) やナノカーボン材料 (CNT、グラフェン) の最新の開発動向について述べる。
　また、Cu配線を取り囲む誘電材料 (絶縁膜) として、配線間容量低減のために低誘電率 (Low-k) 材料を導入した経緯や課題、更なるLow-k化のための多孔質 (Porous) 材料の課題と対策、究極のLow-k技術であるAir-Gap (中空) 技術についても詳細に述べる。
　さらに、配線長を大幅に短縮化でき、超ワイドバス化や大容量・高速の信号伝送が可能になるSi貫通孔 (TSV) やウエハレベル貼合プロセスを用いたメモリデバイスの三次元積層化や、複数の半導体チップ (或いは従来のSoC (System on Chip) チップを機能ごとに分割したチップレット) をパッケージ基板上に近接配置して高性能システムを構成する異種デバイス集積化 (チップレットインテグレーション) についても詳しく解説する。

多層配線技術の役割とスケーリング、材料・構造・プロセスの変遷
1. 多層配線の役割と要求、階層構造、フロアプランの実例
2. 配線長分布と配線階層毎のRC寄与度の違い
  - Local
  - Intermediate
  - (Semi-) Global
3. 下層 (Local) ・中層 (Intermediate) 及び上層 ( (Semi-) Global) 配線のスケーリング理論
4. 多層配線技術の進化の足跡
5. 配線・コンタクト・Viaホールの材料・構造・プロセスの変遷
微細Cuダマシン配線技術及びPost-Cu配線形成技術の基礎〜最新動向
1. 配線プロセスの変遷 (Al-RIE⇒Cuダマシン)
2. 金属材料の物性比較とCu選定の考え方
3. Cu酸化拡散防止膜 (バリアメタル) の要件と材料候補
  - Ta (N)
  - Ti (N)
  - Nb (N)
  - W (N)
4. Ta (N) の課題とTi (N) の優位性
  - 対Cu濡れ性
  - 対酸化性
5. バリアメタル及びSeedスパッタ法の変遷と課題
6. CVD-Ru、Co、RuCoライナーによるCu埋め込み性の改善
7. Mnを利用した超薄膜バリア (MnSixOy) 自己形成技術
8. Cu電解めっきプロセスの概要
  - 無電解法
  - Cuリフロー法
  - MOCVD法との比較
  - Additiveの重要性
  - 役割
  - 選定手法
9. CMPプロセスの概要と研磨スラリーの種類、適用工程の拡大
10. Cu-CMPにおける低機械強度Low-k対応施策
  - 低荷重
  - 複合粒子スラリー
  - Pad表面改質
11. Cuダマシン配線における微細化・薄膜化による抵抗増大
12. 平均自由行程からみたCu代替金属材料候補の考え方
13. 最新開発動向から見た有力候補
  - W
  - Co
  - Ru
  - Mo
  - Ni
  - Al2Cu
  - NiAl
  - CuMgなど
14. 金属配線の微細化限界についての考察とナノカーボン材料への期待
15. 多層CNT (MWCNT) によるViaホールへの埋め込みと課題
16. 多層グラフェン (MLG) による微細配線形成と低抵抗化検討結果
低誘電率 (Low-k/Air-Gap) 絶縁膜形成技術の基礎〜最新動向
1. Cu配線に用いられている絶縁膜の種類と役割
2. 各種配線パラメータの容量に対する感度解析結果
3. ITRS (国際半導体技術ロードマップ委員会) Low-kロードマップの課題と大改訂
4. 比誘電率 (k) 低減化の手法と材料候補
  - SiOF
  - MSQ/SiOC
  - PAr
  - BCBなど
5. 層間絶縁膜 (ILD) 構造の比較検討 (Monolithic vs. Hybrid)
6. 材料物性から見たLow-k材料の課題
  - 低機械強度
  - 低プラズマダメージ耐性など
7. Porous材料におけるPore分布の改善とEB/UV-Cure技術の適用効果
8. Porous材料におけるダメージ修復技術の効果
9. Pore後作りプロセスの提案とLow-k材料の適用限界の考察
10. Air-Gap技術の導入の考え方と構造・方式の比較、課題、現実的な解
ウエハ裏面への電源供給配線網 (BS-PDN、PowerVia、SPR) の形成技術の最新動向
1. ウエハ裏面への電源供給配線網 (BS-PDN) 形成の経緯・背景と特徴、課題
2. 埋め込み電源線 (BPR) と裏面の電源供給配線網 (BS-PDN) の接続形態と構造
3. BS-PDNを形成するための貼合プロセス例と接続断面構造
4. BS-PDNにおける回路ブロック面積及びIRドロップの低減効果
5. IntelによるPoweViaの概要と特徴、テストチップの評価結果、20A世代からの採用計画
6. TSMCもA16世代からSPRを採用へ、Samsungも2nm世代 (SF2Z) からBSPDNを採用へ
2.5D/3Dデバイス集積化技術の基礎〜最新動向
1. Si貫通孔 (TSV) によるデバイス集積化のメリット
2. TSVを用いた三次元チップ積層の実例
  - DRAM/HBM
  - NAND/SSD
3. メモリデバイスにおける積層化ロードマップ (チップ積層⇒ウエハ積層 (貼合) )
4. ウエハレベル貼合技術の種類と比較、有力候補
5. ウエハレベル貼合技術の課題と対策
  - 貼合の低温化
  - 貼合前平坦化
  - ベベル制御
6. チップレット技術による異種デバイス集積化とMooreの法則の継続
7. 各種チップレット技術の概要と特徴
  - CoWoS
  - InFO
  - EMIB
  - Foverosなど
8. 各社のチップレット技術の整理と業界団体「UCIe」の設立
9. 国内のコンソーシアム設立の動き
  - PSB
  - BB Cube 3D
  - ASRA
  - SATAS
10. ウエハレベルパッケージ (FO-WLP) 技術の特長と変遷、代表的なプロセス
11. FO-WLPとPLPの使い分け、FO-PLPの要求仕様
12. FO-PLPにおける微細再配線 (RDL) の低コスト形成プロセスの候補
13. 5G以降の高周波対応低伝送損失絶縁材料の候補
14. パッケージ基板の最新開発動向 (樹脂・シリコン基板⇒ガラス基板)
15. CoC、CoW、WoWの主要アプリとPros/Cons、先進パッケージ技術のロードマップと市場動向
総括

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主催

株式会社 R&D支援センター

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受講料

1名様

: 50000円 (税別) / 55,000円 (税込)

複数名

: 25000円 (税別) / 27,500円 (税込) (案内をご希望の場合に限ります)

案内割引・複数名同時申込割引について

R&D支援センターからの案内を希望する方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
R&D支援センターからの案内を希望しない方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 100,000円(税別) / 110,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 150,000円(税別) / 165,000円(税込)

ライブ配信セミナーについて

本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
お申し込み前に、 Zoomのシステム要件とテストミーティングへの参加手順をご確認いただき、テストミーティングにて動作確認をお願いいたします。
開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

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電子機器の故障メカニズムと未然防止・故障解析のポイント

admin — Mon, 19 May 2025 05:57:21 +0000

実際の市場故障をもとに考える

電子機器の故障メカニズムと未然防止・故障解析のポイント

～多くの事例とともに、実践的な未然防止法・故障解析法を解説～

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ライブ配信セミナーには、特典としてアーカイブ配信が付きます。
アーカイブ配信の視聴期間は、2025年7月17日〜23日を予定しております。
ライブ配信を欠席し、アーカイブ配信のみ受講をご希望の場合は、通信欄に「ライブ欠席、アーカイブのみ受講」とご記入ください。

概要

開催日

2025年7月16日(水) 10時00分～ 17時00分

受講対象者

車載機器、信頼性・品質に係わる初級、中級技術者

修得知識

実際に起こる市場故障の原因
自動車メーカの要求事項
様々なストレスによって発生する故障メカニズム
車載用電子部品・電子機器の信頼性評価
故障解析の基礎とポイント

プログラム

故障メカニズム
1. リコール情報から見る市場故障の問題
2. 実際に発生する市場故障の真の要因
3. 故障期による代表的な故障モードと発生要因
4. 部品に関する故障メカニズム
  1. 半導体デバイスの動作原理・構造・故障メカニズム
  2. 実装基板の故障メカニズム
5. ストレスによる故障メカニズム
  1. 市場で受けるストレスの種類
  2. 温度ストレスによる劣化
  3. 温湿度ストレスによる劣化
  4. 温度急変ストレスによる劣化
  5. 機械的ストレスによる劣化破壊
  6. 過渡電流・電圧による破壊
6. 外乱ノイズ
  1. 電磁波ノイズによる誤動作と未然防止
  2. サージによる破壊と未然防止
  3. 過電圧・過電流による破壊 (事例報告による)
未然防止
1. 製品における信頼性の作りこみ
2. 部品採用に関するポイント
  1. 部品メーカの信頼性の作り込み
  2. 適切な部品調達法
  3. 部品選定のための評価
  4. 良品解析事例
製品保証のための信頼性評価
1. ユーザからの要求事項
2. 一般の信頼性試験
3. 屋外など特殊環境試験
4. 寿命推定
5. 規格
市場故障に対する故障解析 (電子機器から部品まで)
1. 電子機器メーカが行う故障解析の目的
2. 電子機器メーカが行う故障解析の流れ
3. ロックイン発熱解析を用いた故障解析
4. 部品メーカ (半導体メーカ) が行う故障解析
5. 解析事例

質疑応答

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講師

味岡恒夫氏
故障物性ソリューション

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主催

サイエンス＆テクノロジー株式会社

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 38200円 (税別) / 42,020円 (税込)

複数名

: 25000円 (税別) / 27,500円 (税込)

複数名受講割引

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 38,200円(税別) / 42,020円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
請求書は、代表者にご送付いたします。
請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
他の割引は併用できません。
サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。

ライブ配信セミナーについて

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電子機器・部品の未然防止と故障解析

admin — Wed, 30 Apr 2025 06:47:28 +0000

電子機器・部品の未然防止と故障解析

～市場事例を基に学ぶ実践的技術～

オンライン開催

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概要

開催日

2025年6月24日(火) 10時00分～ 17時00分

受講対象者

車載機器、信頼性・品質に係わる初級、中級技術者

修得知識

電子機器や電子部品に要求される信頼性の指針・具体的な対応方法
市場故障における適切な対応や原因究明

プログラム

　電子機器・部品の品質、信頼性は国内産業を支えとなっているが、これを達成するために企業では故障の未然防止や故障解析に大変な努力をしている。しかしながら、この技術の習得は一朝一夕にはできず、新規参入の企業や技術者にとって頭の痛い問題である。この技術を早期に習得するためには現在起こっている市場故障、開発・設計、および製造における市場故障未然策・故障対応法の実態と、故障に関するモデルやメカニズムの理解という基本技術の把握が重要であり、この知識と応用が技術力向上のキーファクタである。
　以上のことから、本セミナーでは電子機器や電子部品の故障を徹底的に検討し、未然防止法や故障対応に身に付くように、事例を多く用いて、初級者にも理解しやすいように説明する。

故障メカニズム
1. 実際に発生する市場故障の真の要因
  1. 市場で問題となる不具合 (リコール情報)
  2. 市場故障がなぜ起こるか
  3. 故障期による故障モード
2. 部品に関する故障メカニズム
  1. 各種部品
    - MLCC
    - LIB
    - リレーなど
  2. 半導体デバイスの動作原理・構造・故障メカニズム
  3. 実装基板の故障メカニズム
3. ストレスによる故障メカニズム
  1. 市場で受けるストレスの種類
  2. 温度ストレスによる劣化
  3. 温湿度ストレスによる劣化
  4. 温度急変ストレスによる劣化
  5. 機械的ストレスによる劣化破壊
  6. 外乱ノイズによる破壊、誤動作 (EOS事例)
未然防止
1. 製品における信頼性の作りこみ
2. 部品採用に関するポイント
  1. 部品メーカの信頼性の作り込み
  2. 適切な部品調達法
  3. 部品選定のための評価
  4. 良品解析事例
製品保証のための信頼性評価
1. ユーザからの要求事項
2. 一般の信頼性試験
3. 屋外など特殊環境試験
4. 寿命推定
5. 規格
市場故障に対する故障解析 (電子機器から部品まで)
1. 電子機器メーカが行う故障解析の目的
2. 電子機器メーカが行う故障解析の流れ
3. ロックイン発熱解析を用いた故障解析
4. 部品メーカ (半導体メーカ) が行う故障解析
5. 解析事例

質疑応答

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主催

株式会社 R&D支援センター

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 52000円 (税別) / 57,200円 (税込)

複数名

: 26000円 (税別) / 28,600円 (税込) (案内をご希望の場合に限ります)

案内割引・複数名同時申込割引について

R&D支援センターからの案内を希望する方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 47,000円(税別) / 51,700円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 52,000円(税別) / 57,200円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 78,000円(税別) / 85,800円(税込)
R&D支援センターからの案内を希望しない方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 52,000円(税別) / 57,200円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 104,000円(税別) / 114,400円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 156,000円(税別) / 171,600円(税込)

ライブ配信セミナーについて

本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
お申し込み前に、 Zoomのシステム要件とテストミーティングへの参加手順をご確認いただき、テストミーティングにて動作確認をお願いいたします。
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セミナー資料は、PDFファイルをダウンロードいただきます。
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ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
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光電融合半導体パッケージ技術の最新動向と今後の展望

admin — Thu, 24 Apr 2025 16:11:35 +0000

光電融合半導体パッケージ技術の最新動向と今後の展望

～データセンター革命を支える技術とその実装～

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概要

配信期間

2025年6月17日(火) 12時30分～ 2025年6月24日(火) 16時30分

お申し込みの締切日

2025年6月20日(金) 16時30分

修得知識

光電融合半導体パッケージの基本情報と最新動向
光電融合パッケージの設計技術の勘所
光電融合パッケージ構造の勘所
光電融合パッケージの製造技術の勘所
光電融合パッケージの評価技術の勘所

プログラム

　生成AIの登場により、データセンターの巨大化、高性能化が近年さらに加速している。これを実現する技術として、従来のブラガブルトランシーバを用いたアーキテクチャより低消費電力化が可能な半導体素子と光素子を同一パッケージ上に集積した光電融合技術が世界中で注目されている。
　本講演ではデータセンターの動向からなぜ光電融合技術が必要なのかを説明した後、光電融合半導体パッケージ技術の最新研究動向と我々が提案している光電融合半導体パッケージ技術に関する最新成果を講演する。

光電融合半導体パッケージの背景
1. 生成AIで拡大するデータセンター
2. 光電融合技術への期待
3. 光電融合パッケージ技術の種類とロードマップ
4. 光電融合パッケージ技術の世界的な最新研究開発動向
我々が提案する「アクティブオプティカルパッケージ」に関して
1. 概要
2. 特長
3. 要素技術1:ポリマー光導波路
4. 要素技術2:ポリマーマイクロミラー
5. 要素技術3:光コネクタ
6. 要素技術4:外部光源 (ELS) を用いた動作実証
7. アクティブオプティカルパッケージの最新成果
8. 社会実装に向けた取り組み:次世代GDC協議会光電コパッケージ検討部会

質疑応答

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主催

株式会社 R&D支援センター

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1名様

: 45000円 (税別) / 49,500円 (税込)

複数名

: 22500円 (税別) / 24,750円 (税込) (案内をご希望の場合に限ります)

案内割引・複数名同時申込割引について

R&D支援センターからの案内を希望する方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 42,000円(税別) / 46,200円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 74,250円(税込)
R&D支援センターからの案内を希望しない方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 90,000円(税別) / 99,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 135,000円(税別) / 148,500円(税込)

アーカイブ配信セミナー

当日のセミナーを、後日にお手元のPCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
配信開始となりましたら、改めてメールでご案内いたします。
視聴サイトにログインしていただき、ご視聴いただきます。
視聴期間は2025年6月17日〜24日を予定しております。
ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。

本セミナーは終了いたしました。

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光電融合半導体パッケージ技術の最新動向と今後の展望

admin — Thu, 24 Apr 2025 16:11:04 +0000

光電融合半導体パッケージ技術の最新動向と今後の展望

～データセンター革命を支える技術とその実装～

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アーカイブ配信で受講をご希望の場合、視聴期間は2025年6月17日〜24日を予定しております。
アーカイブ配信のお申し込みは2025年6月20日まで承ります。

概要

開催日

2025年6月16日(月) 12時30分～ 16時30分

修得知識

光電融合半導体パッケージの基本情報と最新動向
光電融合パッケージの設計技術の勘所
光電融合パッケージ構造の勘所
光電融合パッケージの製造技術の勘所
光電融合パッケージの評価技術の勘所

プログラム

光電融合半導体パッケージの背景
1. 生成AIで拡大するデータセンター
2. 光電融合技術への期待
3. 光電融合パッケージ技術の種類とロードマップ
4. 光電融合パッケージ技術の世界的な最新研究開発動向
我々が提案する「アクティブオプティカルパッケージ」に関して
1. 概要
2. 特長
3. 要素技術1:ポリマー光導波路
4. 要素技術2:ポリマーマイクロミラー
5. 要素技術3:光コネクタ
6. 要素技術4:外部光源 (ELS) を用いた動作実証
7. アクティブオプティカルパッケージの最新成果
8. 社会実装に向けた取り組み:次世代GDC協議会光電コパッケージ検討部会

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- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 135,000円(税別) / 148,500円(税込)

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半導体製造におけるシリコンウェーハのクリーン化技術・洗浄技術

admin — Thu, 10 Apr 2025 13:31:25 +0000

半導体製造におけるシリコンウェーハのクリーン化技術・洗浄技術

～いかに汚染を防止し更には除去するか～

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概要

開催日

2025年5月29日(木) 10時00分～ 17時00分

受講対象者

半導体に関連する研究開発・製造・技術営業・マーケティング、工場保守従事者
- 半導体デバイスメーカー
- 半導体装置メーカー
- 半導体材料メーカー
- クリーンルーム建設会社
- 空調メーカー
- ガス・純水・薬液メーカー
- 分析機器メーカー
- 半導体関連サービス企業など

修得知識

半導体クリーン化技術・洗浄・乾燥技術の基礎から最先端技術まで
半導体製造ラインにおける汚染の実態や防止策、除去方法

プログラム

半導体クリーン化技術 (シリコンウェーハ表面の汚染をいかに防止するか?)
1. クリーン化の目的 (なぜクリーン化すべきか)
  1. 歩留の科学、歩留習熟曲線、歩留向上の実例
  2. 歩留低下要因
    - ランダム欠陥
    - システマテック欠陥
  3. 歩留予測 – ポアソンモデルなどによる歩留予測曲線
  4. 最新動向:「チップレット」で歩留まり向上
2. クリーン化の対象 (何をクリーン化すべきか?)
  1. 半導体微細化の年代推移
  2. 半導体製造におけるクリーンルーム空気清浄度の年代推移
  3. ウェーハ搬送方式の年代推移
  4. 汚染発生源の年代推移
  5. ミニエンバイロメントの採用
    - SMIF
    - FOUP
    - 完全自動化
  6. 最新情報:クリーンルーム革命、もはやSCRは不要
  7. クリーンルームではなく「ウェーハ表面のクリーン化」の重要性
  8. 半導体製造において管理対象とすべき汚染の種類の年代推移
  9. ウェーハ表面汚染の種類とデバイス特性への影響
3. 半導体表面クリーン化の手法 (汚染をどのように防止すべきか?)
  1. 半導体製造におけるパーティクル汚染の実態
  2. パーティクル汚染の低減防止策
  3. 半導体製造における金属汚染の実態
  4. 金属汚染の低減防止策
  5. 半導体製造における無機化学汚染の実態
  6. 無機化学汚染の低減防止策
  7. 半導体製造における有機化学汚染の実態
  8. 有機化学低減防止策
4. 半導体クリーン化技術まとめ
5. 最先端の話題
  1. 超微細化にともなうナノパーティクル対策への挑戦
  2. 歩留まり向上のためのビッグデータ、AI、仮想計測の活用
半導体洗浄乾燥技術 (シリコンウェーハ表面の汚染をいかに除去するか)
1. 半導体製造における洗浄技術の重要性
  1. 半導体デバイス製造フロー、プロセスフローにおける洗浄の位置づけ
  2. 製造工程でパーティクル低減に向けたウェット洗浄の役割
2. 表面汚染除去のメカニズム
  1. パーティクル汚染除去のメカニズム
  2. 金属汚染除去のメカニズム
  3. 有機汚染除去のメカニズム
3. ウェーハ表面洗浄手法
  1. ウェーハ表面洗浄の歴史
  2. RCA洗浄とその代替・改良技術
  3. 浸漬式洗浄の問題点
  4. 枚葉スピン洗浄の利点
  5. SCROD洗浄
  6. 最新情報:SCROD洗浄を応用した超微細加工デジタルエッチング
4. ウェーハ表面乾燥手法
  1. ウェーハ乾燥方式の変遷
  2. マランゴ二乾燥、ロタゴ二乾燥
  3. ウオーターマーク発生とその対策
5. 回路パターン付きウェーハ洗浄の現状と課題
  1. トランジスタ形成工程の洗浄の現状と課題
  2. 多層配線工程の洗浄の現状と課題
6. ウェーハ大口径化に向けての洗浄の課題と展望
7. 超微細構造の洗浄の課題と解決策
  1. 純水の問題点
    - 絶縁性
    - ウオーターマーク
    - 高誘電性
    - 金属溶解など
  2. 水の表面張力による微細パターン倒壊の実態
  3. 洗浄時の物理力による微細パターン倒壊の実態
8. 超微細構造にダメージを与えない洗浄・乾燥技術
  1. 二流体、メガソニックなどのダメジレスウェット洗浄
  2. HFべーパー、エアロゾル洗浄などのさまざまなドライクリーニング
  3. 超臨界流体洗浄・乾燥
  4. 究極の局所洗浄
    - レーザー
    - AFMプローブ
    - ナノピンセットなど
9. 洗浄・乾燥技術のまとめ
10. 最先端の話題
  1. 超微細化デバイスで採用される新材料新構造への洗浄技術の対応
  2. 洗浄・乾燥技術の最先端研究課題
  3. 半導体洗浄技術に関する2大国際会議紹介
  4. 最近の洗浄技術国際会議での最先端の話題

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主催

株式会社 R&D支援センター

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1名様

: 50000円 (税別) / 55,000円 (税込)

複数名

: 25000円 (税別) / 27,500円 (税込) (案内をご希望の場合に限ります)

案内割引・複数名同時申込割引について

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- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
R&D支援センターからの案内を希望しない方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 100,000円(税別) / 110,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 150,000円(税別) / 165,000円(税込)

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シリコンフォトニクスによる光集積回路の開発と低損失接続技術

admin — Tue, 04 Feb 2025 14:50:31 +0000

シリコンフォトニクスによる光集積回路の開発と低損失接続技術

～高速光集積回路の実現に向けたシリコンフォトニクスの最新動向 / チップとファイバ間の光結合、光電コパッケージなど具体的な開発事例～

オンライン開催

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概要

本セミナーでは、経済性・超小型・高速伝送・低環境負荷などの利点から注目されているシリコンフォトニクスについて取り上げ、光導波路とファイバ間接続、異種材料集積技術、Siフォトニクスの要素技術を解説いたします。

開催日

2025年4月11日(金) 10時30分～ 16時15分

受講対象者

光素子、光部品の研究開発・設計・製造に携わる技術者
これから光素子、光部品の研究開発・設計・製造に携わる方

修得知識

シリコンフォトニクスプラットフォームの高速光集積回路の開発状況

光電コパッケージ技術の概要と動向
光実装技術の課題
シリコンフォトニクス内蔵パッケージ基板を用いた光電コパッケージ技術

光ファイバ・光導波路による通信技術の動向
ポリマー光導波路に用いられるポリマー材料の特徴,求められる特性仕様
ポリマー光導波路の作製方法
今後の光通信の分野で必要とされる光導波路素子

プログラム

第1部シリコンフォトニクスプラットフォームの高速光集積回路の開発状況

(2025年4月11日 10:30〜12:00)

　本講演では、AI情報処理システムのリアルタイム応答性、すなわち低遅延性が求められていることに留意し、データセンタの並列光トランシーバに搭載されるシリコンフォトニクスプラットフォームの光集積回路に関して、どのようにして一層の高速化を実現するのか、という視点から技術の紹介および議論を進める。まず、データセンタにおける高速光集積回路について概観し、高速化に関する展望および制限について議論する。次いで、高速化に向けた光・電子融合技術に着目し、光集積回路 (Photonic Integrated Circuit, PIC) と電子集積回路 (Electronic Integrated Circuit, EIC) との集積技術の現状と展望について議論する。また、光集積回路を構成する要素の高速化に関して、光変調器の高速化に着目した議論を行なう。
　中でも、シリコンフォトニクスプラットフォームの光変調器の高速化という観点に立ち、大規模ファウンドリへの適用が容易と期待されるCMOSベース集積という潮流における光変調器の研究開発の最先端事例を紹介し、議論のまとめを行なう。

データセンタにおける高速光集積回路
1. 並列光トランシーバ
2. 高速化の現状と展望
3. 高速化の制限要因
  1. 電子回路との接続
  2. 光集積回路における制限要因
高速化に向けた光・電子集積
1. 2次元集積
2. 2.5次元集積
3. 再配置層を介した集積
光変調器の高速化:制限要因
1. 光変調器の構成
  1. 光変調器の動作原理
  2. 光変調器の構成
  3. III – V系変調器
2. 高速化の制限要因
  1. 移動時間
  2. 速度不整合
  3. RC時定数
光変調器の高速化:CMOSベースの視点から
1. CMOSベースの高速位相変調部

質疑応答

第2部光電コパッケージ用シリコンフォトニクス内蔵パッケージ基板の開発

(2025年4月11日 13:00〜14:30)

　データセンターや大規模科学計算、AIシステムにおいて、より大容量、低遅延、低電力な信号伝送技術が求められている。光電コパッケージ技術は、超小型の光トランシーバを半導体パッケージ内部に集積しボトルネックとなっていた電気配線を除去する技術であり、信号伝送の劇的な性能向上につながると期待されている。
　本講座ではそのような光電コパッケージ技術のロードマップや世界的な動向について解説するとともに、弊所で進める次世代の光電コパッケージ技術を紹介する。

光電コパッケージ技術の概要
1. 背景
2. 光電コパッケージのロードマップ
3. 世界的な光電コパッケージの取り組み例
シリコンフォトニクス内蔵パッケージ基板の開発
1. シリコンフォトニクス内蔵パッケージ基板の概要
2. 要素技術
  1. マイクロミラー
  2. シングルモードポリマー導波路
  3. 光IC埋め込み技術
  4. 光コネクタ
  5. 熱解析
3. 試作と信号伝送評価結果
4. 今後の課題
まとめ

質疑応答

第3部ポリマー光導波路の作製とシリコンフォトニクスチップ・ファイバ間接続技術

(2025年4月11日 14:45〜16:15)

　昨今のAI技術の急速な進展を受けて、GPU間ネットワークなどの短距離通信ネットワークに対しての高速化要求が高まっており、光通信技術の導入が検討されている。特にCPU・GPUなどの半導体チップ周りのデータ伝送への光伝送導入にむけて、Co-package Optics技術が期待されている。光集積回路チップをLSIと同一の基板に実装する、このCo-Package技術は、電子回路基板・材料・デバイス・実装技術を大きく変えうる技術として、この数年、様々な革新がもたらされている。
　本講演では、昨今高い注目を集めている光電融合、Co-Package技術のキーデバイスとして期待されるポリマー光導波路について、これまでの開発の歴史から、現状の最先端の開発動向に至るまでを紹介する。特に1) ポリマー光導波路構成材料に対する要求仕様、2) 3次元光回路化が期待される中での最新ポリマー光導波路作製方法、3) 光導波路の特性評価例、などに関する技術的な話題さらには、サプライチェーン動向について解説する。

技術背景
ポリマー光導波路の構造からみた分類
ポリマー光導波路の作製方法
ポリマー光導波路のための材料と求められる特性
ポリマー光導波路の特性表評価方法と特性例の紹介
ポリマー光導波路の応用〜モスキート法により作製される導波路を中心として〜
1. マルチモードポリマー光導波路の応用
2. シングルモードポリマー光導波路の応用
3. 3次元光導波路の可能性と期待
光電融合・Co – package技術応用へ向けたポリマー光導波路への期待

質疑応答

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講師

小川憲介氏
東京科学大学工学院電気電子系

特任教授
乗木暁博氏
国立研究開発法人産業技術総合研究所プラットフォームフォトニクス研究センター光実装研究チーム

主任研究員
石榑崇明氏
慶応義塾大学理工学部物理情報工学科

教授

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主催

株式会社技術情報協会

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 55000円 (税別) / 60,500円 (税込)

複数名

: 50000円 (税別) / 55,000円 (税込)

複数名同時受講割引について

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 50,000円(税別) / 55,000円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 55,000円(税別) / 60,500円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 100,000円(税別) / 110,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 150,000円(税別) / 165,000円(税込)
同一法人内による複数名同時申込みのみ適用いたします。
請求書は、代表者にご送付いたします。
他の割引は併用できません。

アカデミック割引

1名様あたり 30,000円(税別) / 33,000円(税込)

日本国内に所在しており、以下に該当する方は、アカデミック割引が適用いただけます。

学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院、短期大学、附属病院、高等専門学校および各種学校の教員、生徒
病院などの医療機関・医療関連機関に勤務する医療従事者
文部科学省、経済産業省が設置した独立行政法人に勤務する研究者。理化学研究所、産業技術総合研究所など
公設試験研究機関。地方公共団体に置かれる試験所、研究センター、技術センターなどの機関で、試験研究および企業支援に関する業務に従事する方

支払名義が企業の場合は対象外とさせていただきます。
企業に属し、大学、公的機関に派遣または出向されている方は対象外とさせていただきます。

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半導体製造ラインのウェーハ表面洗浄・乾燥および汚染除去技術の基礎から最新動向まで

admin — Tue, 14 Jan 2025 06:32:55 +0000

半導体洗浄・乾燥技術編

半導体製造ラインのウェーハ表面洗浄・乾燥および汚染除去技術の基礎から最新動向まで

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2025年2月27日,3月24日「先端半導体製造におけるシリコンウェーハ表面のクリーン化技術および洗浄・乾燥技術 (2コースセット)」
- 通常受講料: 84,040円(税込) → 割引受講料 73,150円(税込)

概要

開催日

2025年3月24日(月) 10時00分～ 17時00分

受講対象者

半導体に関連する研究開発・製造・技術営業・マーケティング、工場保守従事者
- 半導体デバイスメーカー
- 半導体装置メーカー
- 半導体材料メーカー
- クリーンルーム建設会社
- 空調メーカー
- ガス・純水・薬液メーカー
- 分析機器メーカー
- 半導体関連サービス企業など

修得知識

半導体クリーン化技術・洗浄・乾燥技術の基礎から最先端技術まで
半導体製造ラインにおける汚染の実態や防止策、除去方法

プログラム

先端半導体洗浄・乾燥技術編

ウェーハ洗浄・乾燥の基礎
1. 半導体製造における洗浄の重要性
  1. 半導体デバイスの製造フロー
  2. 半導体製造のプロセスフロー
  3. 製造工程でのパーティクル推移
  4. 半導体微細化の年代推移
  5. 半導体製造において管理対象とすべき汚染の種類の変遷
  6. ウェーハ表面汚染の種類とデバイス特性への影響
  7. 国際半導体技術ロードマップにおける表面汚染管理目標値の見方
2. 表面汚染除去のメカニズム
  1. ウェット洗浄メカニズムのイメージ
  2. パーティクル除去のメカニズム
    - 基板との相互作用、エッチング深さやpH依存性、経時変化の影響
  3. 金属汚染除去のメカニズム
  4. 有機汚染除去のメカニズム
    - ウェット洗浄による有機汚染除去
3. ウェーハ洗浄・乾燥手法
  1. 1970年代以前のシリコンウェーハ洗浄手法
  2. RCA洗浄の由来 – オリジナル論文。RCA社の変遷
  3. 多層浸漬式RCA洗浄とその基本条件
  4. RCA洗浄のメカニズム、目的と問題点
  5. ホットトピックス – 対韓輸出規制のHFにまつわる話題
  6. RCA洗浄の代替・改良例
  7. クリーンな洗浄の前提条件 – ウェット洗浄中のパーティクルの転写
  8. 過去は洗浄液の純度、現在はウェーハの汚染レベルが支配的
  9. 主なウェーハ乾燥方式
  10. マランゴニ乾燥の原理
  11. ウォータマークの発生メカニズム
  12. 浸漬式から枚葉スピン式洗浄へ
  13. バッチ浸漬式洗浄と枚葉スピン洗浄の比較
  14. 枚葉スピン洗浄シーケンス (講演者が開発したSCROD洗浄の詳細)
  15. 枚葉スピン洗浄の様々な利点
    1. 半導体産業・製造のパラダイム転換
    2. CMOS製造ラインの各装置の生産能力
    3. 液浸リソグラフィのウェハエッジのパーティクル問題
    4. ベベル洗浄
    5. 枚葉スピン洗浄の適用範囲拡大
  16. 枚葉スピン洗浄の最後の難問:SiNエッチ
  17. 枚葉スピン洗浄機でWETとDRY共用
  18. 主な浸漬式洗浄のウェーハ乾燥方式
    1. ウォータマークの発生
    2. 空気遮断板を用いた感動方式
    3. IPA吹付置換乾燥方式
  19. 半導体トップメーカーの洗浄枚葉化指向
  20. 洗浄装置売上高の推移と各社市場シェア
回路パターン付きウェーハ洗浄の現状と課題
1. 微細構造・新材料対応の洗浄技術
  1. トランジスタ構造と材料の変化
  2. 微細化トレンドと新材料の必要性
  3. 先端半導体洗浄に使用される材料の変遷
  4. MOSLSIで使用されてきた主な材料の変遷と今後の方向
2. トランジスタ形成 (FEOL) 工程の洗浄の現状と課題
  1. High-k/メタルゲート周りの洗浄
    1. High-kの理由
    2. 異種金属導入への対応
    3. High-kエッチング液設計
    4. ゲート周り洗浄の課題
    5. FinFETプロセス
3. 多層配線 (BEOL) 工程の洗浄の現状と課題
  1. CMOS-LSIの断面構造
  2. 多層配線を活用したCMP技術
  3. 配線遅延問題:AlからCu へ
  4. ITRSのk値ロードマップはでたらめ
  5. Cuデュアルダマシン構造とその洗浄
  6. BEOL洗浄の課題
  7. 先端CMOSにおける洗浄技術の課題のまとめ
超微細化に向けたウェーハ洗浄技術の展望
1. ウェーハ大口径化に向けての洗浄の課題と展望
  1. 大口径化の変遷と今後の動向
  2. 450mmウェーハ対応洗浄装置の評価データ
2. 超微細構造に向けての洗浄の課題 (1) (微細構造洗浄における超純水の問題点)
  1. 純粋の絶縁性
  2. ウォータマークの発生
  3. 水の高誘電性
  4. 水の金属腐食性
    1. FEOLの問題点 – Hig kキャップ材の消失
    2. BEOLの問題点 – CuやCoの消失
  5. 水の高表面張力による回路パターン倒壊
    1. パターン倒壊・癒着の実例
    2. パターン倒壊のメカニズム
    3. パターン倒壊の対処法
      - ラプラス圧制御
      - 表面改質
      - 設計変更
      - DFM
      - ドライ洗浄
3. 超微細構造に向けての洗浄の問題点 (2) (洗浄時に意図的に加えられる物理力によるパターン倒壊)
  1. 洗浄時の物理力によるパターン倒壊例
  2. 洗浄時に物理力を加えざるを得ない背景
  3. ウェット洗浄による微細パターンダメージ
4. 脆弱な超微細構造にダメージを与えない洗浄・乾燥技術
  1. ダメジレスウェット洗浄 (二流体洗浄、ガス溶存メガソニック洗浄)
  2. 代表的なドライ洗浄と長所・欠点
  3. HFベーパー洗浄
  4. エアロゾルクリーニング
  5. ガスクラスタクリーニング
  6. 固相クリーニング
  7. フリーズドライによるウェーハ乾燥時のパターン倒壊防止
  8. 乾燥直前表面改質によるウェーハ乾燥時のパターン倒壊防止
  9. 超臨界流体を利用したウェーハ乾燥時のパターン倒壊防止
    1. 超臨界流体洗浄を用いたウェーハ乾燥手順
    2. 超臨界流体洗浄・乾燥システム
  10. 超臨界流体洗浄の先端半導体デバイスへの応用
  11. 局所クリーニング
    1. 局所クリーニングの必要性
    2. レーザー照射を用いたクリーニング
    3. AFMナノプローブ
    4. ナノピンセットなどによる究極の局所クリーニング
    5. シリコンウェーハ局所クリーニングのまとめ
おわりに
1. 今までのまとめ
2. 半導体メモリの技術動向と洗浄の課題と解決策
3. ロジックICの技術動向と洗浄の課題と解決策
4. 超微細デバイスに採用予定の新構造 (GAA, Ribbon FETなど) への洗浄の対応
  1. 半導体ロジックデバイスの最新ロードマップ – IMECとIntelの例
  2. トランジスタ構造の変遷:過去から未来へ
  3. ゲートオールアラウンド名のワイヤFET
  4. 超微細化への洗浄の対応
  5. 洗浄技術の先端研究課題
  6. ホットトピックス
    - 表面改質でパターン倒壊防止
    - デジタルエッチングで超微細加工
5. 半導体洗浄技術国際会議から見た洗浄技術の最新動向
  1. 世界の洗浄国際会議の紹介
  2. 最近の米国開催洗浄国際会議ECS-SCST参加報告 (レビュー記事の紹介)
  3. 最近の欧州開催洗浄国際会議UCPSS参加報告 (レビュー記事の紹介)

質疑応答

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講師

服部毅 (Hattori Consulting International) 氏
Hattori Consulting International

代表

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会場

品川区立総合区民会館きゅりあん

5F 第4講習室

東京都品川区東大井5丁目18-1

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主催

サイエンス＆テクノロジー株式会社

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 38200円 (税別) / 42,020円 (税込)

複数名

: 25000円 (税別) / 27,500円 (税込)

複数名受講割引

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 38,200円(税別) / 42,020円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
請求書は、代表者にご送付いたします。
請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
他の割引は併用できません。
サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。

2日間コースのお申込み

2025年2月27日,3月24日「先端半導体製造におけるシリコンウェーハ表面のクリーン化技術および洗浄・乾燥技術 (2コースセット)」
- 通常受講料: 84,040円(税込) → 割引受講料 73,150円(税込)

セット対象セミナー

2025年2月27日「先端半導体製造ラインの汚染の実態と歩留向上のためのウェーハ表面汚染防止技術の基礎から最新動向まで」
- 受講料 : 38,200円(税別) / 42,020円(税込)
2025年3月24日「半導体製造ラインのウェーハ表面洗浄・乾燥および汚染除去技術の基礎から最新動向まで」
- 受講料 : 38,200円(税別) / 42,020円(税込)

会場受講 / Zoomを使ったライブ配信対応セミナー

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半導体製造におけるシリコンウェーハ表面のクリーン化・歩留向上技術および洗浄・乾燥技術 (2コースセット)

admin — Tue, 14 Jan 2025 06:19:22 +0000

半導体製造におけるシリコンウェーハ表面のクリーン化・歩留向上技術および洗浄・乾燥技術 (2コースセット)

～基礎から最新動向まで～

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概要

開催日

2025年2月27日(木) 10時00分～ 17時00分
2025年3月24日(月) 10時00分～ 17時00分

受講対象者

半導体に関連する研究開発・製造・技術営業・マーケティング、工場保守従事者
- 半導体デバイスメーカー
- 半導体装置メーカー
- 半導体材料メーカー
- クリーンルーム建設会社
- 空調メーカー
- ガス・純水・薬液メーカー
- 分析機器メーカー
- 半導体関連サービス企業など

修得知識

半導体クリーン化技術・洗浄・乾燥技術の基礎から最先端技術まで
半導体製造ラインにおける汚染の実態や防止策、除去方法

プログラム

　半導体デバイス (LSI) の超微細化に伴い、半導体デバイスの製造現場では、パーティクル (異物微粒子) や金属不純物、表面吸着化学汚染 (有機汚染に代表されるケミカル・コンタミネーション) などさまざまな微小 (少) な汚染物質が、半導体デバイスの歩留まりや信頼性にますます大きな悪影響を及ぼすようになっています。半導体プロセスは、その全てが汚染の発生源と言っても過言ではありません。このため、製造ラインのクリーン化 (全工程にわたり、いかに汚染を防止し、シリコンウェーハ表面をクリーンに保つか) および洗浄 (防止しきれなかった汚染をいかに除去するか) の重要性が一段と高まっています。
　本セミナーは、今まで半導体メーカーのノウハウとして門外不出の内向きの技術領域として扱われてきた「歩留まり向先端半導体クリーン化技術および洗浄・乾燥技術」について、その基礎から最先端技術までを、実践的な観点から豊富な事例を交えて、初心者にもわかりやすく、かつ具体的に解説します。
　いままで半導体の参考書では語られることが無かった半導体製造ラインにおける汚染の実態や防止策・除去手法についても多数の実例写真で紹介します。洗浄技術はリバースエンジニアリングで全く把握できず、参考書でもほとんど取り上げられない内容をカバーしております。

2025年2月27日「半導体製造におけるシリコンウェーハの洗浄・乾燥および汚染除去技術の基礎から最新動向まで」 (クリーン化・歩留向上技術編)

ビデオ学習〜半導体製造現場・クリーンルーム見学〜 (講義中に随時上映)
1. 最先端 (300/450mmFOUP方式) 半導体工場クリーンルーム・製造現場見学
  - 米国G450Cの450mmライン
  - 米国Intel、台湾TSMC、キオクシア (旧東芝メモリ) などの300mm最先端ライン
2. 旧来 (150/200mmオープンカセット方式半導体工場クリーンルーム・製造現場見学
  ⇒講義の合間に随時上映する予定です。
世界および日本半導体産業の最新動向紹介 (まずは世界半導体産業の現状を理解しよう)
クリーン化の目的 (なぜクリーン化すべきか?)
1. 歩留向上の重要性
2. 歩留の定義
3. 歩留習熟曲線
4. 歩留の低下要因
5. ランダム欠陥・固定欠陥
6. 歩留り予測モデル (歩留の科学)
7. 歩留の科学を理解するための練習問題
8. ホットトピック:チップレットの概念とこれを用いることで歩留向上
クリーン化の対象 (何をクリーン化すべきか?)
1. 半導体の最小線幅の年代推移
2. 半導体製造における空気清浄度の推移
3. ウェーハ搬送方式の推移
4. 汚染発生源の推移
5. ミニエンバイロンメント (200mm SMIF/300・450mm FOUP)
6. ホットトピック:クリーンルーム不要へ向けてまったく新しい概念のクリーンルーム
7. 半導体製造におけるクリーン化の優先順位
8. 半導体製造における汚染の実態とそれぞれの汚染によるデバイス不良例
9. ウェーハ表面汚染の種類と主なデバイス特性への影響
10. 半導体製造装置・プロセスの主な発塵源
半導体表面クリーン化の手法 (汚染をどのように防止すべきか?)
1. ウェーハ表面の汚染分析手法
2. 半導体プロセスにおけるパーティクルの低減・防止対策
  1. パーティクルによる様々な不良の実例
  2. 製造ラインでのパーティクルモニタリング
  3. 製造ラインでのパーティクル低減手法
  4. 半導体製造装置の主な発塵減
  5. 半導体製造プロセスの発塵減と低減防止策
  6. パーティクル沈着機構の変遷
  7. 洗浄によるパーティクル除去メカニズム
3. 半導体プロセスにおける金属汚染の低減・防止策
  1. 金属汚染のデバイスへの影響
  2. 微細化に伴う新金属材料の必要性
  3. 金属汚染防止策
  4. 金属汚染ゲッタリング策
  5. 洗浄による金属汚染除去
4. 半導体プロセスにおける無機化学汚染の低減・防止策
  1. 空気中のドーパント起因の不良
  2. 空気中のアンモニア起因の不良
  3. 空気中の酸起因の不良
  4. 空気中の無機化学汚染の低減防止策
5. 半導体プロセスにおける有機化学汚染の低減・防止策
  1. 有機汚染のデバイス・プロセスへの影響
  2. リソグラフィにおける有機汚染の分解
  3. 有機汚染によるレンズやミラーの曇り
  4. クリーンルームにおける有機汚染の発生源
  5. ウェーハ収納ボックスからの有機汚染発生
  6. ウェーハ表面有機汚染の低減・防止策
  7. 洗浄による有機汚染の除去メカニズム
6. ホットトピック:発生源が内部にあることを想定しなかったFOUPの問題点とFOUP内の窒素パージによる各種汚染の防止策
7. 将来に向けたFOUPを用いないオール枚葉搬送・処理方式の提案
まとめ
1. クリーン化技術のパラダイム転換
2. 今まで計測できなかったナノパーティクルの課題と展望
3. 歩留まり向上手法 (SPC, APC, FDC,YMSなど) へのビッグデータ、IoT (モノのインターネット) 、AI (人工知能、マシンラーニング) 、仮想計測 (VM) など最新手法の活用

質疑応答

2025年3月24日「半導体製造ラインの汚染の実態と歩留向上のためのシリコンウェーハ表面汚染防止技術の基礎から最新動向まで」 (半導体洗浄・乾燥技術編)

ウェーハ洗浄・乾燥の基礎
1. 半導体製造における洗浄の重要性
  1. 半導体デバイスの製造フロー
  2. 半導体製造のプロセスフロー
  3. 製造工程でのパーティクル推移
  4. 半導体微細化の年代推移
  5. 半導体製造において管理対象とすべき汚染の種類の変遷
  6. ウェーハ表面汚染の種類とデバイス特性への影響
  7. 国際半導体技術ロードマップにおける表面汚染管理目標値の見方
2. 表面汚染除去のメカニズム
  1. ウェット洗浄メカニズムのイメージ
  2. パーティクル除去のメカニズム
    - 基板との相互作用、エッチング深さやpH依存性、経時変化の影響
  3. 金属汚染除去のメカニズム
  4. 有機汚染除去のメカニズム
    - ウェット洗浄による有機汚染除去
3. ウェーハ洗浄・乾燥手法
  1. 1970年代以前のシリコンウェーハ洗浄手法
  2. RCA洗浄の由来 – オリジナル論文。RCA社の変遷
  3. 多層浸漬式RCA洗浄とその基本条件
  4. RCA洗浄のメカニズム、目的と問題点
  5. ホットトピックス – 対韓輸出規制のHFにまつわる話題
  6. RCA洗浄の代替・改良例
  7. クリーンな洗浄の前提条件 – ウェット洗浄中のパーティクルの転写
  8. 過去は洗浄液の純度、現在はウェーハの汚染レベルが支配的
  9. 主なウェーハ乾燥方式
  10. マランゴニ乾燥の原理
  11. ウォータマークの発生メカニズム
  12. 浸漬式から枚葉スピン式洗浄へ
  13. バッチ浸漬式洗浄と枚葉スピン洗浄の比較
  14. 枚葉スピン洗浄シーケンス (講演者が開発したSCROD洗浄の詳細)
  15. 枚葉スピン洗浄の様々な利点
    1. 半導体産業・製造のパラダイム転換
    2. CMOS製造ラインの各装置の生産能力
    3. 液浸リソグラフィのウェハエッジのパーティクル問題
    4. ベベル洗浄
    5. 枚葉スピン洗浄の適用範囲拡大
  16. 枚葉スピン洗浄の最後の難問:SiNエッチ
  17. 枚葉スピン洗浄機でWETとDRY共用
  18. 主な浸漬式洗浄のウェーハ乾燥方式
    1. ウォータマークの発生
    2. 空気遮断板を用いた感動方式
    3. IPA吹付置換乾燥方式
  19. 半導体トップメーカーの洗浄枚葉化指向
  20. 洗浄装置売上高の推移と各社市場シェア
回路パターン付きウェーハ洗浄の現状と課題
1. 微細構造・新材料対応の洗浄技術
  1. トランジスタ構造と材料の変化
  2. 微細化トレンドと新材料の必要性
  3. 先端半導体洗浄に使用される材料の変遷
  4. MOSLSIで使用されてきた主な材料の変遷と今後の方向
2. トランジスタ形成 (FEOL) 工程の洗浄の現状と課題
  1. High-k/メタルゲート周りの洗浄
    1. High-kの理由
    2. 異種金属導入への対応
    3. High-kエッチング液設計
    4. ゲート周り洗浄の課題
    5. FinFETプロセス
3. 多層配線 (BEOL) 工程の洗浄の現状と課題
  1. CMOS-LSIの断面構造
  2. 多層配線を活用したCMP技術
  3. 配線遅延問題:AlからCu へ
  4. ITRSのk値ロードマップはでたらめ
  5. Cuデュアルダマシン構造とその洗浄
  6. BEOL洗浄の課題
  7. 先端CMOSにおける洗浄技術の課題のまとめ
超微細化に向けたウェーハ洗浄技術の展望
1. ウェーハ大口径化に向けての洗浄の課題と展望
  1. 大口径化の変遷と今後の動向
  2. 450mmウェーハ対応洗浄装置の評価データ
2. 超微細構造に向けての洗浄の課題 (1) (微細構造洗浄における超純水の問題点)
  1. 純粋の絶縁性
  2. ウォータマークの発生
  3. 水の高誘電性
  4. 水の金属腐食性
    1. FEOLの問題点 – Hig kキャップ材の消失
    2. BEOLの問題点 – CuやCoの消失
  5. 水の高表面張力による回路パターン倒壊
    1. パターン倒壊・癒着の実例
    2. パターン倒壊のメカニズム
    3. パターン倒壊の対処法
      - ラプラス圧制御
      - 表面改質
      - 設計変更
      - DFM
      - ドライ洗浄
3. 超微細構造に向けての洗浄の問題点 (2) (洗浄時に意図的に加えられる物理力によるパターン倒壊)
  1. 洗浄時の物理力によるパターン倒壊例
  2. 洗浄時に物理力を加えざるを得ない背景
  3. ウェット洗浄による微細パターンダメージ
4. 脆弱な超微細構造にダメージを与えない洗浄・乾燥技術
  1. ダメジレスウェット洗浄 (二流体洗浄、ガス溶存メガソニック洗浄)
  2. 代表的なドライ洗浄と長所・欠点
  3. HFベーパー洗浄
  4. エアロゾルクリーニング
  5. ガスクラスタクリーニング
  6. 固相クリーニング
  7. フリーズドライによるウェーハ乾燥時のパターン倒壊防止
  8. 乾燥直前表面改質によるウェーハ乾燥時のパターン倒壊防止
  9. 超臨界流体を利用したウェーハ乾燥時のパターン倒壊防止
    1. 超臨界流体洗浄を用いたウェーハ乾燥手順
    2. 超臨界流体洗浄・乾燥システム
  10. 超臨界流体洗浄の先端半導体デバイスへの応用
  11. 局所クリーニング
    1. 局所クリーニングの必要性
    2. レーザー照射を用いたクリーニング
    3. AFMナノプローブ
    4. ナノピンセットなどによる究極の局所クリーニング
    5. シリコンウェーハ局所クリーニングのまとめ
おわりに
1. 今までのまとめ
2. 半導体メモリの技術動向と洗浄の課題と解決策
3. ロジックICの技術動向と洗浄の課題と解決策
4. 超微細デバイスに採用予定の新構造 (GAA, Ribbon FETなど) への洗浄の対応
  1. 半導体ロジックデバイスの最新ロードマップ – IMECとIntelの例
  2. トランジスタ構造の変遷:過去から未来へ
  3. ゲートオールアラウンド名のワイヤFET
  4. 超微細化への洗浄の対応
  5. 洗浄技術の先端研究課題
  6. ホットトピックス
    - 表面改質でパターン倒壊防止
    - デジタルエッチングで超微細加工
5. 半導体洗浄技術国際会議から見た洗浄技術の最新動向
  1. 世界の洗浄国際会議の紹介
  2. 最近の米国開催洗浄国際会議ECS-SCST参加報告 (レビュー記事の紹介)
  3. 最近の欧州開催洗浄国際会議UCPSS参加報告 (レビュー記事の紹介)

質疑応答

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講師

服部毅 (Hattori Consulting International) 氏
Hattori Consulting International

代表

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会場

連合会館

4F 401会議室

2025年2月27日連合会館 4F 401会議室
2025年3月24日品川区立総合区民会館きゅりあん 5F 第4講習室

東京都千代田区神田駿河台三丁目2-11

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主催

サイエンス＆テクノロジー株式会社

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 66500円 (税別) / 73,150円 (税込)

複数名

: 45000円 (税別) / 49,500円 (税込)

複数名受講割引

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 45,000円(税別) / 49,500円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 66,500円(税別) / 73,150円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 90,000円(税別) / 99,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 135,000円(税別) / 148,500円(税込)
申込みフォームの受講方法から「オンライン」をご選択ください。
他の割引は併用できません。
サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。

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教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

1名様あたり 20,000円(税別) / 22,000円(税込)
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ライブ配信の画面上でスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。
印刷物は後日お手元に届くことになります。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
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半導体製造におけるシリコンウェーハの洗浄・乾燥および汚染除去技術の基礎から最新動向まで

admin — Tue, 14 Jan 2025 06:32:04 +0000

クリーン化・歩留向上技術編

半導体製造におけるシリコンウェーハの洗浄・乾燥および汚染除去技術の基礎から最新動向まで

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2025年2月27日,3月24日「先端半導体製造におけるシリコンウェーハ表面のクリーン化技術および洗浄・乾燥技術 (2コースセット)」
- 通常受講料: 84,040円(税込) → 割引受講料 73,150円(税込)

概要

開催日

2025年2月27日(木) 10時00分～ 17時00分

受講対象者

半導体に関連する研究開発・製造・技術営業・マーケティング、工場保守従事者
- 半導体デバイスメーカー
- 半導体装置メーカー
- 半導体材料メーカー
- クリーンルーム建設会社
- 空調メーカー
- ガス・純水・薬液メーカー
- 分析機器メーカー
- 半導体関連サービス企業など

修得知識

半導体クリーン化技術・洗浄・乾燥技術の基礎から最先端技術まで
半導体製造ラインにおける汚染の実態や防止策、除去方法

プログラム

ビデオ学習〜半導体製造現場・クリーンルーム見学〜 (講義中に随時上映)
1. 最先端 (300/450mmFOUP方式) 半導体工場クリーンルーム・製造現場見学
  - 米国G450Cの450mmライン
  - 米国Intel、台湾TSMC、キオクシア (旧東芝メモリ) などの300mm最先端ライン
2. 旧来 (150/200mmオープンカセット方式半導体工場クリーンルーム・製造現場見学
  ⇒講義の合間に随時上映する予定です。
世界および日本半導体産業の最新動向紹介 (まずは世界半導体産業の現状を理解しよう)
クリーン化の目的 (なぜクリーン化すべきか?)
1. 歩留向上の重要性
2. 歩留の定義
3. 歩留習熟曲線
4. 歩留の低下要因
5. ランダム欠陥・固定欠陥
6. 歩留り予測モデル (歩留の科学)
7. 歩留の科学を理解するための練習問題
8. ホットトピック:チップレットの概念とこれを用いることで歩留向上
クリーン化の対象 (何をクリーン化すべきか?)
1. 半導体の最小線幅の年代推移
2. 半導体製造における空気清浄度の推移
3. ウェーハ搬送方式の推移
4. 汚染発生源の推移
5. ミニエンバイロンメント (200mm SMIF/300・450mm FOUP)
6. ホットトピック:クリーンルーム不要へ向けてまったく新しい概念のクリーンルーム
7. 半導体製造におけるクリーン化の優先順位
8. 半導体製造における汚染の実態とそれぞれの汚染によるデバイス不良例
9. ウェーハ表面汚染の種類と主なデバイス特性への影響
10. 半導体製造装置・プロセスの主な発塵源
半導体表面クリーン化の手法 (汚染をどのように防止すべきか?)
1. ウェーハ表面の汚染分析手法
2. 半導体プロセスにおけるパーティクルの低減・防止対策
  1. パーティクルによる様々な不良の実例
  2. 製造ラインでのパーティクルモニタリング
  3. 製造ラインでのパーティクル低減手法
  4. 半導体製造装置の主な発塵減
  5. 半導体製造プロセスの発塵減と低減防止策
  6. パーティクル沈着機構の変遷
  7. 洗浄によるパーティクル除去メカニズム
3. 半導体プロセスにおける金属汚染の低減・防止策
  1. 金属汚染のデバイスへの影響
  2. 微細化に伴う新金属材料の必要性
  3. 金属汚染防止策
  4. 金属汚染ゲッタリング策
  5. 洗浄による金属汚染除去
4. 半導体プロセスにおける無機化学汚染の低減・防止策
  1. 空気中のドーパント起因の不良
  2. 空気中のアンモニア起因の不良
  3. 空気中の酸起因の不良
  4. 空気中の無機化学汚染の低減防止策
5. 半導体プロセスにおける有機化学汚染の低減・防止策
  1. 有機汚染のデバイス・プロセスへの影響
  2. リソグラフィにおける有機汚染の分解
  3. 有機汚染によるレンズやミラーの曇り
  4. クリーンルームにおける有機汚染の発生源
  5. ウェーハ収納ボックスからの有機汚染発生
  6. ウェーハ表面有機汚染の低減・防止策
  7. 洗浄による有機汚染の除去メカニズム
6. ホットトピック:発生源が内部にあることを想定しなかったFOUPの問題点とFOUP内の窒素パージによる各種汚染の防止策
7. 将来に向けたFOUPを用いないオール枚葉搬送・処理方式の提案
まとめ
1. クリーン化技術のパラダイム転換
2. 今まで計測できなかったナノパーティクルの課題と展望
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質疑応答

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講師

服部毅 (Hattori Consulting International) 氏
Hattori Consulting International

代表

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会場

連合会館

4F 401会議室

東京都千代田区神田駿河台三丁目2-11

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主催

サイエンス＆テクノロジー株式会社

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お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

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受講料

1名様

: 38200円 (税別) / 42,020円 (税込)

複数名

: 25000円 (税別) / 27,500円 (税込)

複数名受講割引

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 38,200円(税別) / 42,020円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
請求書は、代表者にご送付いたします。
請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
他の割引は併用できません。
サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。

2日間コースのお申込み

2025年2月27日,3月24日「先端半導体製造におけるシリコンウェーハ表面のクリーン化技術および洗浄・乾燥技術 (2コースセット)」
- 通常受講料: 84,040円(税込) → 割引受講料 73,150円(税込)

セット対象セミナー

2025年2月27日「先端半導体製造ラインの汚染の実態と歩留向上のためのウェーハ表面汚染防止技術の基礎から最新動向まで」
- 受講料 : 38,200円(税別) / 42,020円(税込)
2025年3月24日「半導体製造ラインのウェーハ表面洗浄・乾燥および汚染除去技術の基礎から最新動向まで」
- 受講料 : 38,200円(税別) / 42,020円(税込)

会場受講 / Zoomを使ったライブ配信対応セミナー

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蓄積された技術と故障物性に基づく高信頼性電子機器の開発・製造

admin — Wed, 11 Dec 2024 08:42:47 +0000

蓄積された技術と故障物性に基づく高信頼性電子機器の開発・製造

オンライン開催

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概要

開催日

2025年2月17日(月) 10時30分～ 16時30分

受講対象者

車載機器、信頼性・品質に係わる初級、中級技術者

修得知識

電子機器や電子部品に要求される信頼性の指針・具体的な対応方法

プログラム

　国内の電子機器は信頼性の高さに定評があり、多くのシステムに搭載されている。しかしながら、現在、この信頼性を牽引してきた多くのベテラン技術者が退職を迎え、空洞化が懸念される。ベテラン技術者の経験を補い、早期に技術者を育成するためには原点に戻り、信頼性に係る故障メカニズムをとそれに関連する物性を理解し、実際に起こっている問題を物性面からも考えていく技術を身に付けることが必要である。実際にはベテラン技術者もこのようなことをやっており、経験が及ばない新規課題にも対応できるため、今日の高信頼性が構築できている。
　本セミナーでは実際に行われている信頼性の規格・要求や試験などの実践的な面と、各部品における故障や環境による劣化メカニズムなどの物性面の両方から、故障未然防止策を検討していく。また、故障の原因究明のための故障解析についても述べる。このように本セミナーでは電子機器の開発や品質保証に関連するほぼすべての項目の骨子を説明するものである。
　科学的な面の話もあるが、誰でもわかるように事例を交えて、わかりやすく説明するので、初級者でも十分理解できるものである。

セミナーの目的
電子機器の開発と市場故障の現状
1. 一般に行われている電子機器製品開発の流れ
2. 部乗用車クレーム情報から見る電子機器の市場故障・不具合
故障未然防止を考慮した電子機器の開発
1. 市場故障の発生要因
2. 故障未然防止を考慮した電子機器の開発
3. 故障の抽出
4. 製造法の開発のポイント
5. 部品選定:市場流通在庫品と良品解析
6. 製品設計・開発の信頼性の作り込み
7. 電子機器製品としての信頼性検証と対策
ストレスよる故障現象と部品固有の故障メカニズム
1. 安定状態と反応速度
2. 温度、温度急変、湿度による故障メカニズム
3. 部品による故障メカニズム
  - MLCC
  - LIB
  - リレー・接点
  - LSIなど
4. 実装基板の故障
  - プリント基板
  - 接続
信頼性試験・環境試験
1. 信頼性規格と課題
2. 車載用電子機器への要求
3. 信頼性試験の課題
4. 加速試験:加速係数の算出
5. 各種信頼性試験・環境試験
電子機器に及ぼすサージ・ノイズ
1. サージによる破壊
  - ESD
  - ラッチアップ
  - EOS
2. サージ対策
3. EOS破壊のメカニズム検証事例
4. 電磁波ノイズの現状とEMC試験
電子機器の故障解析
1. 故障解析の目的と実施
2. 故障解析フロー
3. 故障解析ツール
4. ロックイン発熱解析を用いた故障解析
5. 故障メカニズムの検証

質疑応答

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講師

味岡恒夫氏
故障物性ソリューション

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主催

株式会社技術情報協会

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受講料

1名様

: 50000円 (税別) / 55,000円 (税込)

複数名

: 45000円 (税別) / 49,500円 (税込)

複数名同時受講割引について

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 45,000円(税別) / 49,500円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 90,000円(税別) / 99,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 135,000円(税別) / 148,500円(税込)
同一法人内による複数名同時申込みのみ適用いたします。
請求書は、代表者にご送付いたします。
他の割引は併用できません。

アカデミック割引

1名様あたり 30,000円(税別) / 33,000円(税込)

日本国内に所在しており、以下に該当する方は、アカデミック割引が適用いただけます。

学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院、短期大学、附属病院、高等専門学校および各種学校の教員、生徒
病院などの医療機関・医療関連機関に勤務する医療従事者
文部科学省、経済産業省が設置した独立行政法人に勤務する研究者。理化学研究所、産業技術総合研究所など
公設試験研究機関。地方公共団体に置かれる試験所、研究センター、技術センターなどの機関で、試験研究および企業支援に関する業務に従事する方

支払名義が企業の場合は対象外とさせていただきます。
企業に属し、大学、公的機関に派遣または出向されている方は対象外とさせていただきます。

ライブ配信セミナーについて

本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
お申し込み前に、視聴環境とテストミーティングへの参加手順をご確認いただき、テストミーティングにて動作確認をお願いいたします。
開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
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先端半導体デバイスの多層配線技術と2.5D/3Dデバイス集積化

admin — Tue, 19 Nov 2024 07:05:54 +0000

先端半導体デバイスの多層配線技術と2.5D/3Dデバイス集積化

～Cu (及びPost-Cu) 配線/Low-k絶縁膜、2.5D/3Dデバイス集積化の基礎から最新動向～

オンライン開催

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概要

開催日

2025年2月5日(水) 10時30分～ 17時00分

修得知識

半導体デバイス技術
半導体製造プロセス技術
多層配線形成技術
三次元デバイス集積化技術
材料強度学
金属疲労学
固体物理学
薄膜材料物性学

プログラム

　IoT、AI、5G/ポスト5G、自動運転、ロボティックスなどのデジタル社会を支える重要基盤であるマイクロプロセッサ (MPU/CPU) やDRAM、NAND、パワーデバイスなどに代表される先端半導体デバイスにおいて、デバイスを構成する微細トランジスタ同士を接続して論理回路を構成する多層配線に対する微細化、高密度化、低抵抗化、低容量化、高信頼化の要求が益々厳しさを増している。配線寸法やViaホール径の微細化に伴う配線・Via抵抗及び配線間容量の増大や、これらに伴う信号伝搬遅延と消費電力の増加、信頼性の低下は世代とともに極めて深刻になりつつある。
　そこで、本講ではこれまでの多層配線技術の歴史的変遷を振り返るとともに、Cuダマシン配線の製造プロセスや微細化に伴う配線抵抗増大の課題について詳しく解説した上で、Cu代替金属材料 (Co、Ru、Mnなど) やナノカーボン材料 (CNT、グラフェン) の最新の開発動向について述べる。
　また、Cu配線を取り囲む誘電材料 (絶縁膜) として、配線間容量低減のために低誘電率 (Low-k) 材料を導入した経緯や課題、更なるLow-k化のための多孔質 (Porous) 材料の課題と対策、究極のLow-k技術であるAir-Gap (中空) 技術についても詳細に述べる。
　さらに、配線長を大幅に短縮化でき、超ワイドバス化や大容量・高速の信号伝送が可能になるSi貫通孔 (TSV) やウエハレベル貼合プロセスを用いたメモリデバイスの3次元積層化や、複数の半導体チップ (或いは従来のSoC (System on Chip) チップを機能ごとに分割したチップレット) をパッケージ基板上に近接配置して高性能システムを構成する異種デバイス集積化 (チップレットインテグレーション) についても詳しく解説する。

多層配線技術の役割とスケーリング、材料・構造・プロセスの変遷
1. 多層配線の役割と要求、階層構造、フロアプランの実例
2. 配線長分布と配線階層 (Local、Intermediate、(Semi-) Global) 毎のRC寄与度の違い
3. 下層 (Local) ・中層 (Intermediate) 及び上層 ( (Semi-) Global) 配線のスケーリング理論
4. 多層配線技術の進化の足跡
5. 配線・コンタクト・Viaホールの材料・構造・プロセスの変遷
微細Cuダマシン配線技術及びPost-Cu配線形成技術の基礎〜最新動向
1. 配線プロセスの変遷 (Al-RIE⇒Cuダマシン)
2. 金属材料の物性比較とCu選定の考え方
3. Cu酸化拡散防止膜 (バリアメタル) の要件と材料候補 (Ta(N), Ti(N), Nb(N), W(N) )
4. Ta (N) の課題 (対Cu濡れ性、対酸化性) とTi (N) の優位性
5. バリアメタル及びSeedスパッタ法の変遷と課題
6. CVD-Ru、Co、RuCoライナーによるCu埋め込み性の改善
7. Mnを利用した超薄膜バリア (MnSixOy) 自己形成技術
8. Cu電解めっきプロセスの概要と無電解法、Cuリフロー法、MOCVD法との比較、Additiveの重要性、役割、選定手法
9. CMPプロセスの概要と研磨スラリーの種類、適用工程の拡大
10. Cu-CMにおける低機械強度Low-k対応施策
  - 低荷重
  - 複合粒子スラリー
  - Pad表面改質
11. Cuダマシン配線における微細化・薄膜化による抵抗増大
12. 平均自由行程からみたCu代替金属材料候補の考え方
13. W、Co、Ru、Mo、Ni、Al2Cu、NiAl、CuMgなどの最新開発動向から見た有力候補
14. 金属配線の微細化限界についての考察とナノカーボン材料への期待
15. 多層CNT (MWCNT) によるViaホールへの埋め込みと課題
16. 多層グラフェン (MLG) による微細配線形成と低抵抗化検討結果
低誘電率 (Low-k/Air-Gap) 絶縁膜形成技術の基礎〜最新動向
1. Cu配線に用いられている絶縁膜の種類と役割
2. 各種配線パラメータの容量に対する感度解析結果
3. ITRS (国際半導体技術ロードマップ委員会) Low-kロードマップの課題と大改訂
4. 比誘電率 (k) 低減化の手法と材料候補
  - SiOF
  - MSQ/SiOC
  - PAr
  - BCBなど
5. 層間絶縁膜 (ILD) 構造の比較検討 (Monolithic vs. Hybrid)
6. 材料物性から見たLow-k材料の課題 (低機械強度、低プラズマダメージ耐性など)
7. Porous材料におけるPore分布の改善とEB/UV-Cure技術の適用効果
8. Porous材料におけるダメージ修復技術の効果
9. Pore後作りプロセスの提案とLow-k材料の適用限界の考察
10. Air-Gap技術の導入の考え方と構造・方式の比較、課題、現実的な解
ウエハ裏面への電源供給配線網 (BS-PDN、PowerVia、SPR) の形成技術の最新動向
1. ウエハ裏面への電源供給配線網 (BS-PDN) 形成の経緯・背景と特徴、課題
2. 埋め込み電源線 (BPR) と裏面の電源供給配線網 (BS-PDN) の接続形態と構造
3. BS-PDNを形成するための貼合プロセス例と接続断面構造
4. BS-PDNにおける回路ブロック面積及びIRドロップの低減効果
5. IntelによるPoweViaの概要と特徴、テストチップの評価結果、20A世代からの採用計画
6. TSMCもA16世代からSPRを採用へ、Samsungも2nm世代 (SF2Z) からBSPDNを採用へ
2.5D/3Dデバイス集積化技術の基礎〜最新動向
1. Si貫通孔 (TSV) によるデバイス集積化のメリット
2. TSVを用いた3次元チップ積層の実例 (DRAM/HBM、NAND/SSD)
3. メモリデバイスにおける積層化ロードマップ (チップ積層⇒ウエハ積層 (貼合) )
4. ウエハレベル貼合技術の種類と比較、有力候補
5. ウエハレベル貼合技術の課題と対策
  - 貼合の低温化
  - 貼合前平坦化
  - ベベル制御
6. チップレット技術による異種デバイス集積化とMooreの法則の継続
7. 各種チップレット技術の概要と特徴
  - CoWoS
  - InFO
  - EMIB
  - Foverosなど
8. 各社のチップレット技術の整理と業界団体「UCIe」の設立
9. 国内のコンソーシアム設立の動き
  - PSB
  - BB Cube 3D
  - ASRA
  - SATAS
10. ウエハレベルパッケージ (FO-WLP) 技術の特長と変遷、代表的なプロセス
11. FO-WLPとPLPの使い分け、FO-PLPの要求仕様
12. FO-PLPにおける微細再配線 (RDL) の低コスト形成プロセスの候補
13. 5G以降の高周波対応低伝送損失絶縁材料の候補
14. パッケージ基板の最新開発動向 (樹脂・シリコン基板⇒ガラス基板)
15. CoC、CoW、WoWの主要アプリとPros/Cons、先進パッケージ技術のロードマップと市場動向
総括

質疑応答

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講師

柴田英毅氏
名古屋大学未来社会創造機構

客員教授

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主催

サイエンス＆テクノロジー株式会社

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 38200円 (税別) / 42,020円 (税込)

複数名

: 25000円 (税別) / 27,500円 (税込)

複数名受講割引

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 38,200円(税別) / 42,020円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
他の割引は併用できません。
サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。

ライブ配信セミナーについて

本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
お申し込み前に、視聴環境とテストミーティングへの参加手順をご確認いただき、テストミーティングにて動作確認をお願いいたします。
開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
セミナー資料は、PDFファイルをダウンロードいただきます。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
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次世代データセンタにおいて広帯域、低消費電力を実現する光インターコネクト技術の開発動向

admin — Fri, 19 Apr 2024 14:28:05 +0000

次世代データセンタにおいて広帯域、低消費電力を実現する光インターコネクト技術の開発動向

～光インターコネクトの実装技術と光電融合技術～

オンライン開催

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概要

開催日

2024年7月24日(水) 13時00分～ 16時30分

受講対象者

光インターコネクトに関心のある装置メーカー、半導体パッケージメーカー、材料メーカーの技術者
データセンタ及び光インターコネクトに関心のあるマーケティング部門の技術者

修得知識

データセンタの技術トレンド
ハイパフォーマンスコンピュータの技術トレンド
光インターコネクトの実装技術
プラガブル光トランシーバ
On-Board Optics
Co-Packaged Optics
シリコンフォトニクストランシーバ
高速電気信号伝送
高速光信号伝送
外部光源
光電融合技術

プログラム

　データセンタにおける伝送容量は。人工知能 (AI: Artificial Intelligence) 、機械学習 (ML: Machine Learning) 、HPC (High Performance Computing) に牽引され、著しく増大しており、2年で35倍になっていると報告されている。データセンタネットワークに用いられるネットワークスイッチの容量は2年で倍になる傾向を示してきたが、これを大きく上回っている。
　次世代のデータセンタを実現するxPU、スイッチASIC等の電子集積デバイスの高性能化に伴い、デバイス及びシステムの消費電力が上昇し、さらにそれによる熱の発生が懸念されている。次世代のデータセンタにおける光リンクの消費電力比率は右肩上がりに上昇することが予想されており、光リンクの省電力化が強く求められている。それ故、広帯域化と省電力化両立するために、光インターコネクトの実装形態が検討されてきた。
　現在、電子集積デバイスと小型光トランシーバを1枚の基板上で実装するCPO (Co-Packaged Optics) が注目されており、従来のプラガブル光トランシーバ用いた実装形態から光リンクパワーを1/5にすることが目標とされている。CPOは、光電融合技術の第一段階と定義されており、今後の技術革新に向けて重要な技術である。
　本セミナーでは、データセンタにおける技術動向、光インターコネクトの実装形態及び技術について解説し、シリコンフォトニクス、VCSEL、光トランシーバ、外部光源の技術動向について解説する。また、次世代データセンタにおける光電融合技術について展望する。

はじめに
1. データセンタネットワークの技術トレンド
2. AI/ML/HPCの技術トレンド
光インターコネクトの実装形態
ボードエッジ実装
1. プラガブル光トランシーバ
2. プラガブル光トランシーバの実装技術
3. 最大伝送容量の検討
4. 広帯域化のアプローチ
On-Board Optics (OBO)
1. OBOトランシーバ
2. OBOトランシーバを用いたスイッチサーバ
3. Consortium for On-Board Optics (COBO)
Co-Packaged Optics (CPO)
1. CPOの実装形態
2. CPO光トランシーバ
3. 外部光源
4. 冷却システム
光電融合技術の進展
1. 光電融合の技術ロードマップ
2. 最新技術動向
まとめ
質疑応答

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講師

那須秀行氏
古河電気工業株式会社フォトニクス研究所

フェロー

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主催

サイエンス＆テクノロジー株式会社

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受講料

1名様

: 32400円 (税別) / 35,640円 (税込)

複数名

: 22500円 (税別) / 24,750円 (税込)

複数名受講割引

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 22,500円(税別) / 24,750円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 32,400円(税別) / 35,640円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 74,250円(税込)
同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
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アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

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ライブ配信の画面上でスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。
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光電コパッケージ技術の概要・課題・最新動向・今後の展望まで

admin — Wed, 24 Apr 2024 08:43:44 +0000

光電コパッケージ技術の概要・課題・最新動向・今後の展望まで

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アーカイブ配信で受講をご希望の場合、視聴期間は2024年6月12日〜19日を予定しております。
アーカイブ配信のお申し込みは2024年6月17日まで承ります。

概要

配信期間

2024年6月17日(月) 12時30分～ 2024年6月19日(水) 16時30分

お申し込みの締切日

2024年6月17日(月) 12時30分

修得知識

光電コパッケージ技術の最新動向
光電コパッケージ設計の勘所
光電コパッケージ試作の勘所
光電コパッケージ評価の勘所

プログラム

　生成AIの登場により、データセンタの巨大化、高性能化が近年さらに加速している。これを実現する技術として、従来のブラガブルトランシーバを用いたアーキテクチャより低消費電力化が可能な半導体素子と光素子を同一パッケージ上に集積した光電コパッケージ技術が世界中で注目されている。
　本講演ではデータセンタの動向からなぜ光電コパッケージ技術が必要なのかを説明した後、光電コパッケージ技術の最新研究動向と我々が提案している光電コパッケージ技術に関する最新成果を講演する。

光電コパッケージの背景
1. 生成AIで拡大するデータセンタ
2. 光電コパッケージ技術への期待
3. 光電コパッケージ技術の種類とロードマップ
4. 光電コパッケージ技術の世界的な最新研究開発動向
我々が提案する「アクティブオプティカルパッケージ」に関して
1. 概要
2. 特長
3. 要素技術1:ポリマー光導波路
4. 要素技術2:ポリマーマイクロミラー
5. 要素技術3:光コネクタ
6. 要素技術4:外部光源 (ELS) を用いた動作実証
7. 社会実装に向けた取り組み:次世代GDC協議会光電コパッケージ検討部会

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主催

株式会社 R&D支援センター

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受講料

1名様

: 45000円 (税別) / 49,500円 (税込)

複数名

: 22500円 (税別) / 24,750円 (税込) (案内をご希望の場合に限ります)

案内割引・複数名同時申込割引について

R&D支援センターからの案内を希望する方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 42,000円(税別) / 46,200円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 74,250円(税込)
R&D支援センターからの案内を希望しない方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 90,000円(税別) / 99,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 135,000円(税別) / 148,500円(税込)

アーカイブ配信セミナー

当日のセミナーを、後日にお手元のPCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
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光電コパッケージ技術の概要・課題・最新動向・今後の展望まで

admin — Wed, 24 Apr 2024 08:43:13 +0000

光電コパッケージ技術の概要・課題・最新動向・今後の展望まで

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概要

開催日

2024年6月11日(火) 12時30分～ 16時30分

修得知識

光電コパッケージ技術の最新動向
光電コパッケージ設計の勘所
光電コパッケージ試作の勘所
光電コパッケージ評価の勘所

プログラム

光電コパッケージの背景
1. 生成AIで拡大するデータセンタ
2. 光電コパッケージ技術への期待
3. 光電コパッケージ技術の種類とロードマップ
4. 光電コパッケージ技術の世界的な最新研究開発動向
我々が提案する「アクティブオプティカルパッケージ」に関して
1. 概要
2. 特長
3. 要素技術1:ポリマー光導波路
4. 要素技術2:ポリマーマイクロミラー
5. 要素技術3:光コネクタ
6. 要素技術4:外部光源 (ELS) を用いた動作実証
7. 社会実装に向けた取り組み:次世代GDC協議会光電コパッケージ検討部会

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主催

株式会社 R&D支援センター

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- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 90,000円(税別) / 99,000円(税込)
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電子機器の故障未然防止・故障解析入門講座

admin — Wed, 24 Apr 2024 08:06:49 +0000

電子機器の故障未然防止・故障解析入門講座

～部品・ストレスに関する故障メカニズムから市場故障に対する故障解析まで～

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概要

開催日

2024年6月7日(金) 10時00分～ 17時00分

受講対象者

車載機器、信頼性・品質に係わる初級、中級技術者

修得知識

電子機器や電子部品に要求される信頼性の指針・具体的な対応方法
市場故障における適切な対応や原因究明

プログラム

　電子機器・部品の品質、信頼性は国内産業を支えとなっているが、これを達成するために企業では故障の未然防止や故障解析に大変な努力をしている。しかしながら、この技術の習得は一朝一夕にはできず、新規参入の企業や技術者にとって頭の痛い問題である。
　この技術を早期に習得するためには故障に関するモデルやメカニズムの理解により経験を補うことと、実際に行われている未然防止法 (信頼性の作りこみ) 、評価・解析法、および信頼性試験を把握し、適用することが重要である。
　以上のことから、本セミナーでは故障に関する基礎知識と実際に行われている未然防止法と故障解析を、事例を多く用いて、初級者にも理解しやすいように説明する。

故障メカニズム
1. 実際に発生する市場故障の真の要因
  - 故障期による故障モード
2. 部品に関する故障メカニズム
  - 半導体デバイスの動作原理・構造・故障メカニズム
  - 実装基板の故障メカニズム
3. ストレスによる故障メカニズム
  - 市場で受けるストレスの種類
  - 温度ストレスによる劣化
  - 温湿度ストレスによる劣化
  - 温度急変ストレスによる劣化
  - 機械的ストレスによる劣化破壊
  - 外乱ノイズによる破壊、誤動作 (EOS事例)
未然防止
1. 製品における信頼性の作りこみ
2. 部品採用に関するポイント
  - 部品メーカの信頼性の作り込み
  - 適切な部品調達法
  - 部品選定のための評価
  - 良品解析事例
製品保証のための信頼性評価
- ユーザからの要求事項
- 一般の信頼性試験
- 屋外など特殊環境試験
- 寿命推定
- 規格
市場故障に対する故障解析 (電子機器から部品まで)
- 電子機器メーカが行う故障解析の目的
- 電子機器メーカが行う故障解析の流れ
- ロックイン発熱解析を用いた故障解析
- 部品メーカ (半導体メーカ) が行う故障解析
- 解析事例

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主催

株式会社 R&D支援センター

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お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

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受講料

1名様

: 50000円 (税別) / 55,000円 (税込)

複数名

: 25000円 (税別) / 27,500円 (税込) (案内をご希望の場合に限ります)

案内割引・複数名同時申込割引について

R&D支援センターからの案内を希望する方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
R&D支援センターからの案内を希望しない方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 100,000円(税別) / 110,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 150,000円(税別) / 165,000円(税込)

ライブ配信セミナーについて

本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
お申し込み前に、視聴環境とテストミーティングへの参加手順をご確認いただき、テストミーティングにて動作確認をお願いいたします。
開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

本セミナーは終了いたしました。

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LSI (Large Scale Integration / 集積回路)のセミナー・研修・出版物

光電融合パッケージングと光導波路の技術展望

光電融合パッケージングと光導波路の技術展望

開催日

プログラム

第1部 光電融合半導体パッケージング基板技術の最新動向

第2部 光電融合に向けたポリマー光導波路の材料と形成技術

第3部 光電融合におけるシリコン系光導波路技術

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電子機器・部品の未然防止と故障解析

電子機器・部品の未然防止と故障解析

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光電コパッケージ技術の概要・課題・最新動向・今後の展望まで

光電コパッケージ技術の概要・課題・最新動向・今後の展望まで

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修得知識

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光電コパッケージ技術の概要・課題・最新動向・今後の展望まで

光電コパッケージ技術の概要・課題・最新動向・今後の展望まで

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光電融合技術へ向けた異種材料集積化と光集積回路の開発

光電融合技術へ向けた異種材料集積化と光集積回路の開発

概要

開催日

修得知識

プログラム

第1部 シリコン基板上への化合物半導体レーザの集積化技術

第2部 薄膜転写法による異種材料光チップレット集積化技術

第3部 次世代光インターコネクトに向けた広帯域垂直光I/Oアーキテクチャと集積化技術

講師

主催

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受講料

複数名同時受講割引について

アカデミック割引

ライブ配信セミナーについて

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半導体製造におけるシリコンウェーハのクリーン化技術・洗浄技術

半導体製造におけるシリコンウェーハのクリーン化技術・洗浄技術

概要

開催日

第1部光電融合半導体パッケージング基板技術の最新動向

第2部光電融合に向けたポリマー光導波路の材料と形成技術

第3部光電融合におけるシリコン系光導波路技術

第1部シリコン基板上への化合物半導体レーザの集積化技術

第2部薄膜転写法による異種材料光チップレット集積化技術

第3部次世代光インターコネクトに向けた広帯域垂直光I/Oアーキテクチャと集積化技術