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深紫外線によるウイルスの不活化と発光出力・安全性の両立

深紫外線によるウイルスの不活化と発光出力・安全性の両立

オンライン 開催

開催日

  • 2021年12月8日(水) 10時30分 16時30分

修得知識

  • 光 (UV) 、光化学反応、光源、微生物の分類と特徴
  • 新型コロナウイルスと感染、UV照射による不活化メカニズム
  • UVによる新型コロナウイルスの不活化
  • UV不活化装置、UVの人への影響、安全な利用など
  • 200nm以下の深紫外線域の発光を得る半導体材料を開発するうえで必要な基礎知識
    • 半導体材料の結晶成長と物性評価
    • 光学特性を評価するための装置仕様
  • 深紫外LEDの応用分野、ウィルス不活化・殺菌効果、波長選択の重要性
  • 半導体素子の構造、深紫外高効率発光の機構、そのほか特性を決める効率など
  • 深紫外LED高効率化の方法、社会実装に向けた高出力素子の開発方法

プログラム

第1部 (深) 紫外線による微生物 (特に、新型コロナウイルス) の不活化

(2021年12月8日 10:30〜12:10)

 現在、コロナ禍であり感染予防対策が非常に重要である。新型コロナウイルスの不活化の有効な手段として深紫外線照射が挙げられる。そこで、紫外線による微生物 (新型コロナウイルスも含む) の不活化技術について基礎から応用事例を紹介する。

  1. はじめに
    1. 不活化技術の必要性 (背景)
    2. UV殺菌技術の歴史
  2. 光の基礎
    1. 光の波長とエネルギー
    2. 光化学反応 (法則、分子の励起)
    3. 光源
  3. UVによる不活化
    1. 微生物の分類と特徴
    2. 不活化メカニズム (有効光<波長>)
  4. UV不活化技術の特徴
  5. UVエネルギー計測
  6. 微生物へのUV不活化効果確認事例
  7. 新型コロナウイルスの不活化
    1. 新型コロナウイルスと感染メカニズム
    2. UVによる不活化メカニズム
    3. 不活化に必要なUVエネルギー
  8. UV不活化装置 (空気、表面、水)
  9. UVの人に対する影響 (安全に利用するには)
  10. おわりに
    • 質疑応答

第2部 200nm以下の深紫外線発光へ向けた半導体材料の開発

(2021年12月8日 13:00〜14:40)

 200nm以下の光源は、水銀やエキシマなどの放電型ランプが主流であり、水銀の撤廃、省エネ、コロナ対策の観点から代替光源の開発が強く望まれている。開発の必要性とその加速化を共通認識としてもって頂きたいと考えています。

  1. 深紫外・真空紫外線の分類
  2. 深紫外・真空紫外線光源の種類
  3. 超ワイドギャップ酸化物半導体材料
    1. 結晶構造
    2. 特徴,バンド構造
  4. 結晶成長と評価
    1. ミスト化学気相堆積法
    2. 深紫外・真空紫外線分光システム
  5. 結晶の品質評価
    1. 原子間力顕微鏡像
    2. X線回折
    3. エネルギー分散型X線分析
  6. 光学的特性
    1. 透過測定と解析結果
    2. 分光エリプソメトリ測定と解析結果
    3. カソードルミネッセンス測定と解析結果
  7. 光源開発の指針
    • 質疑応答

第3部 ポストコロナ社会を支える深紫外LEDの開発

(2021年12月8日 14:50〜16:30)

 すでに社会実装が始まっている、「深紫外LED」の応用分野、特にウィルス不活化・殺菌効果について紹介し、ポストコロナ社会における重要性を理解する。深紫外LEDの高効率発光の実現方法について概説し、より応用に適した高出力・低消費電力LEDの開発について議論し、深紫外LEDの今後の社会普及を促す。

  1. 深紫外LEDの応用分野の広がり
    1. UVA~UVCの波長の分類
    2. 波長によ応用分野の分類
      • 殺菌
      • 医療
      • 樹脂硬化
    3. 殺菌用、ウィルス不活化用280nm波長
    4. 人体無害230nm波長とコロナ対応
  2. 深紫外LED開発の骨子
    1. 深紫外LEDの効率
    2. 窒化アルミニウム (AlN) 結晶の転位の低減法
    3. 発光内部量子効率の高効率化
    4. 誘導放出の実現
  3. 高効率深紫外LED
    1. 幅広い波長 (220 – 350nm) の実現
    2. 注入効率の向上
    3. 光取り出し効率の向上
    4. 世界最高効率の実現
  4. ポストコロナ社会への期待
    1. サブワット高出力素子を目指して
    2. 反射PhCによる高出力化
    3. 高出力素子実装
    4. 人体無害230nmLEDの開発
    5. 深紫外LDへの展開
    • 質疑応答

講師

  • 木下 忍
    株式会社アイ・エレクトロンビーム
    代表取締役
  • 尾沼 猛儀
    工学院大学 先進工学部 応用物理学科
    教授
  • 平山 秀樹
    国立研究開発法人 理化学研究所 平山量子光素子研究室
    主任研究員

主催

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    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 55,000円(税別) / 60,500円(税込)
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  • 1名様あたり 30,000円(税別) / 33,000円(税込)

日本国内に所在しており、以下に該当する方は、アカデミック割引が適用いただけます。

  • 学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院、短期大学、附属病院、高等専門学校および各種学校の教員、生徒
  • 病院などの医療機関・医療関連機関に勤務する医療従事者
  • 文部科学省、経済産業省が設置した独立行政法人に勤務する研究者。理化学研究所、産業技術総合研究所など
  • 公設試験研究機関。地方公共団体に置かれる試験所、研究センター、技術センターなどの機関で、試験研究および企業支援に関する業務に従事する方

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本セミナーは終了いたしました。

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