技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー

自動車の電動化に向けた、シリコン、SiC・GaNパワーデバイス開発の最新状況と今後の動向

自動車の電動化に向けた、シリコン、SiC・GaNパワーデバイス開発の最新状況と今後の動向

～最新のSi-IGBT、SiC、GaN、高温対応実装技術まで～
オンライン 開催
関連するセミナー・出版物
本セミナーは終了いたしました。
セミナーの再開催を依頼する 関連するセミナー・出版物を探す

出席者特典: 5日間視聴のアーカイブ配信付き

概要

本セミナーでは、パワーデバイス技術の基礎・周辺材料技術と、SiCパワーデバイスの実際・最新動向について詳解いたします。

開催日

  • 2021年9月30日(木) 10時30分 ～ 16時30分

受講対象者

  • SiC半導体、GaN半導体、パワーデバイスに関連する技術者
    • 電気・エネルギー関連
    • 電力変換回路
    • 自動車
    • ハイブリッド車
    • 電気自動車
    • 電車
    • PC
    • 家電
    • エレベータ
    • インバーター
    • 無停電電源装置 など

修得知識

  • パワー半導体デバイス、パッケージの最新技術動向
  • Si-IGBTの強み
  • SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題
  • パワー半導体デバイス・SiC/GaN市場予測
  • シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術
  • SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術

プログラム

　2021年現在、世界各国は自動車の電動化 (xEV) 開発に向け大きく進展している。そして2030年代には日、米、欧、中がガソリン車の新車販売を禁止するなど、xEVは、もはや大きな潮流となった感がある。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。
　しかしながら現状では、シリコンIGBTがxEV用途の主役に君臨しており、今後しばらくはシリコンIGBTの時代が続くともいわれている。これはとりもなおさず、SiC/GaNデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求に十分応えられていないことによる。
　最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。

  1. パワーエレクトロニクスとはなに?
    1. パワーエレクトロニクス & パワーデバイスの仕事
    2. パワー半導体の種類と基本構造
    3. パワーデバイスの適用分野
    4. パワーデバイスのお客様は何を望んでいるのか?
    5. シリコンMOSFET・IGBTの伸長
    6. パワーデバイス開発のポイント
  2. 最新シリコンパワーデバイス (Si-IGBT) の進展と課題
    1. パワーデバイス市場の現在と将来
    2. IGBT開発のポイント
    3. IGBT特性改善を支える技術
    4. 薄ウェハ化の限界
    5. IGBT特性改善の次の一手
    6. 新型IGBTとして期待されるRC-IGBTとはなに
    7. シリコンIGBTの実装技術
  3. SiCパワーデバイスの現状と課題
    1. 半導体デバイス材料の変遷
    2. ワイドバンドギャップ半導体とは?
    3. なぜSiCパワーデバイスなのか
    4. 各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか?
    5. SiCウェハができるまで
    6. SiC-SBDそしてSiC-MOSFET開発へ
    7. SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
    8. SiC-MOSFET最近のトピックス
    9. SiCのデバイスプロセス (Siパワーデバイスと何が違うのか)
    10. SiCデバイス信頼性向上のポイント
    11. SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは?
    12. ショットキーバリアダイオード (SBD) 内蔵SiC-MOSFET
  4. GaNパワーデバイスの現状と課題
    1. なぜGaNパワーデバイスなのか?
    2. GaNデバイスの構造
    3. SiCとGaNデバイスの狙う市場
    4. GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は?
    5. ノーマリ-オフ・ノーマリーオン特性とはなに?
    6. GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
    7. GaN-HEMTの課題
    8. GaNパワーデバイスの弱点はなにか
    9. 縦型GaNデバイスの最新動向
    10. 縦型SiCデバイス 対 縦型GaNデバイス。勝ち筋はどちらに?
  5. SiCパワーデバイス高温対応実装技術
    1. 高温動作ができると何がいいのか
    2. SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
    3. パワーモジュール動作中の素子破壊例
    4. SiCモジュールに必要な実装技術
  6. まとめ
    • 質疑応答
ページのトップヘ

講師

  • 岩室 憲幸 氏
    筑波大学 数理物質系 物理工学域
    教授
ページのトップヘ

主催

サイエンス＆テクノロジー 株式会社
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 42,700円 (税別) / 46,970円 (税込)
複数名
: 25,000円 (税別) / 27,500円 (税込)

複数名受講割引

  • 2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 42,700円(税別) / 46,970円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
  • 同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
  • 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
  • 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
    申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
  • 他の割引は併用できません。
  • サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

  • 1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
  • 企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
  • お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。

ライブ配信セミナーについて

  • 本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
  • お申し込み前に、 視聴環境 と テストミーティングへの参加手順 をご確認いただき、 テストミーティング にて動作確認をお願いいたします。
  • 開催日前に、接続先URL、ミーティングID​、パスワードを別途ご連絡いたします。
  • セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
  • セミナー資料は、PDFファイルをダウンロードいただきます。
  • ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
  • タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
  • ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
  • 講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
  • Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
    万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。
本セミナーは終了いたしました。
セミナーの再開催を依頼する
ページのトップヘ

これから開催される関連セミナー

開始日時 会場 開催方法
2025/12/4 自動運転を支えるセンサフュージョンの最前線 : LiDARが拓く未来 オンライン
2025/12/4 自動車リサイクルの日本および世界の現状と今後のリサイクル戦略 オンライン
2025/12/5 半導体製造におけるドライ/ウェットエッチング技術の基礎・応用と最新動向 東京都 会場
2025/12/8 トヨタ Woven Cityの狙いは? OEM大変革時代へ オンライン
2025/12/8 半導体パッケージの接合部における各種試験評価、分析解析技術とその応用 オンライン
2025/12/8 PFAS (有機フッ素化合物) 規制の動向と半導体産業への影響 オンライン
2025/12/10 SiC半導体ウェハの欠陥制御と検出、評価技術 オンライン
2025/12/10 半導体デバイスの故障メカニズムと信頼性試験・寿命予測 オンライン
2025/12/11 SiCパワー半導体の最新動向とSiC単結晶ウェハ製造の技術動向 オンライン
2025/12/11 半導体デバイスの故障メカニズムと信頼性試験・寿命予測 オンライン
2025/12/12 オフライン電源の設計 (3日間) オンライン
2025/12/12 オフライン電源の設計 (1) オンライン
2025/12/15 セラミックス合成・成形時に用いられるバインダー (結合剤) および添加剤・薬剤の種類と使い方 オンライン
2025/12/15 半導体製造装置の基礎・トレンドと今後の展望 (2025年冬版) オンライン
2025/12/15 半導体パッケージ技術の進化とそれを支える要素技術 オンライン
2025/12/15 自動車メーカー向け製品化学物質管理ツール「IMDS」実務の進め方と最新ポイント オンライン
2025/12/16 自動車用パワーエレクトロニクスの基礎と技術動向 東京都 会場
2025/12/16 GAA覇権戦争とAIデータセンター経済圏の衝撃への羅針盤 東京都 オンライン
2025/12/17 ダイヤモンド半導体の現状・課題・最新動向 オンライン
2025/12/18 設計者CAE 構造解析編 (強度) オンライン
ページのトップヘ