第1章 無線機受信機

• 1. 無線受信機の性能
  • 1.1 無線受信機のダイナミックレンジ
  • 1.2 受信機の非線形性
  • 1.3 受信機の雑音指数
• 2. スーパーヘテロダイン受信方式
• 3. イメージキャンセルスーパーヘテロダイン受信機
• 4. ダイレクトコンバージョン (ホモダイン) 受信機
• 5. Low-IF受信方式
• 6. その他の幾つかのCMOS受信機のための技術

第2章 RF CMOSデバイスの構造と特性

• 1. MOSFETの構造と特性
  • 1.1 MOSFETの直流特性
  • 1.2 MOSFETの高周波特性
  • 1.3 MOSFETのアナログ特性
• 2. MOSFETとバイポーラトランジスタ
  • 2.1 トランスコンダクタンス
  • 2.2 遮断周波数
  • 2.3 雑音特性
  • 2.4 出力容量
• 3. RF回路用受動素子
  • 3.1 抵抗
    • 3.1.1 拡散層抵抗
    • 3.1.2 ポリシリコン抵抗
    • 3.1.3 金属配線抵抗
  • 3.2 コンデンサ
    • 3.2.1 MOSコンデンサ
    • 3.2.2 ポリシリコン-ポリシリコンコンデンサ
    • 3.2.3 メタル-シリサイドコンデンサ
    • 3.2.4 メタル-メタルコンデンサ (1)
    • 3.2.5 メタル-メタルコンデンサ (2)
  • 3.3 コイル
  • 3.4 バリキャップ
    • 3.4.1 MOS型バリキャップ
    • 3.4.2 ダイオード型バリキャップ

第3章 MOSFETと受動素子の構造とモデル

• 1. CMOSプロセスの構造
• 2. 高周波MOSFETモデル
  • 2.1 MOSFETの高周波等価回路モデル
  • 2.2 高周波回路に最適なspiceモデル
  • 2.3 BSIM3を用いたスケーラブルな等価回路モデル
    • 2.3.1 ソース及びドレインの拡散層の面積及び周囲長
    • 2.3.2 ゲート抵抗
    • 2.3.3 ゲート電極-基板寄生容量
    • 2.3.4 チャンネル下のPwell/Nwell抵抗
    • 2.3.5 チャンネル下の基板抵抗 (NMOS下のNwell)
    • 2.3.6 ソース及びドレインの拡散層下のPwell/Nwell抵抗
    • 2.3.7 ゲート電極下の基板抵抗
    • 2.3.8 Pwell/Nwell及びNwell/Psubの寄生容量
  • 2.4 高周波ノイズモデル
• 3. 抵抗モデル
• 4. コンデンサモデル
• 5. コイルモデル
  • 5.1 コイルの等価モデルとQ
  • 5.2 より詳細なコイルの等価回路
• 6. バリキャップモデル
• 7. パッケージ・保護素子及びパッドモデル
  • 7.1 パッケージモデル
  • 7.2 保護素子モデル
  • 7.3 パッドモデル

第4章 RF CMOSのコア回路

• 1. 低雑音増幅器 (LNA)
  • 1.1 インダクタンス整合LNAの実験例
    • 1.1.1 雑音指数 (NF)
    • 1.1.2 利得
    • 1.1.3 入力整合
  • 1.2 その他いくつかのLNAの実験例
• 2. 高周波混合器 (ミキサ)
• 3. 電圧制御発振器 (VCO)
  • 3.1 ミキサの原理
  • 3.2 雑音
  • 3.3 共振器内蔵電圧制御発振器の実際
    • 3.3.1 仕様
    • 3.3.2 回路形式
    • 3.3.3 パラメータの設定
    • 3.3.4 測定結果
• 4. プリスケーラとPLL
  • 4.1 PLLの構成
  • 4.2 PLLの雑音解析
  • 4.3 プリスケーラ
  • 4.4 マルチモジュラスプリスケーラ

第5章 トランシーバチップの実際

• 1. スーパーへテロダイントランシーバ
• 2. イメージキャンセルスーパーヘテロダイントランシーバ
• 3. Low-IFトランシーバ
• 4. BluetoothにおけるCMOSトランシーバの動向
• 5. RF CMOS開発の現状